半导体器件习题解答

1、现代半导体器件物理复习题半导体器件物理复习题1 简述 Schrodinger 波动方程的物理意义及求解边界条件.2 简述隧道效应的基本原理.3 什么是半导体的直接带隙和间接带隙.4 什么是 FermiDirac 概率函数和 Fermi 能级。

2、1章 常用半导体器件 习题第一章 常用半导体器件习 题 1.1 选择合适答案填入空内. 1在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,加入 元素可形成P型半导体. A. 五价 B. 四价 C. 三价 2当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 。

3、二选择题 注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论 . 1在绝对零度0K时,本征半导体中 载流子. A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数 2。

4、 5 大规模数字集成电路习题解答 99 自我检测题 1一个 ROM 共有 10 根地址线,8 根位线数据输出线,则其存储容量为 .A108 B1028 C1082 D2108 2为了构成 4096 8 的 RAM,需要 片 1024 2 的。

5、二选择题 注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论 . 1在绝对零度0K时,本征半导体中 载流子. A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数 2。

6、设存储器的起始地址全为 0,则最高地址的十六进制地址码为 3FFFFH .6真值表如表 T5.6 所示,如从存储器的角度去理解,AB 应看为 地址,F0F1F2F3应看为 数据 .表 T5.6 A B F0 F1 F2 F3 0 0。

7、1章 模电常用半导体器件题解第一章 常用半导体器件自 测 题 一判断下列说法是否正确,用和表示判断结果填入空内. 1在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体. 2因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电. 3PN结。

8、最新第1章 半导体器件习题及答案第1章 半导体器件一是非题 注:请在每小题后 内用表示对,用表示错 1P型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得. 2N型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到. 3在N型半导体中,掺入高浓度的。

9、1章常用半导体器件题解11页word第一章 常用半导体器件要练说,得练听.听是说的前提,听得准确,才有条件正确模仿,才能不断地掌握高一级水平的语言.我在教学中,注意听说结合,训练幼儿听的能力,课堂上,我特别重视教师的语言,我对幼儿说话,注意。

10、第6章半导体存储器和可编程逻辑器件习题解答图文精复习思考题61ROM一共分为几种,它们都有哪些特性答:只读存储器ROM实际上是一个具有n个输入和m个输出的组合逻辑电路,分为掩模ROMPROM和EPROM三种.掩模只读存储器是最早出现的只读存。

11、半导体器件物理简答题简答题答案:1.空间电荷区是怎样形成的.画出零偏与反偏状态下pn结的能带图.答:当p型半导体和n型半导体紧密结合时,在其交界面附近存在载流子的浓度梯度,它将引起p区空穴向n区扩散,n区电子向p区扩散.因此在交界面附近,p。

12、半导体习题和解答第一篇 半导体中的电子状态习题1 1什么叫本征激发温度越高,本征激发的载流子越多,为什么试定性说 明之.1 2 12 试定性说明GeSi的禁带宽度具有负温度系数的原因.1 3 试指出空穴的主要特征.1 4简述GeSi和GaA。

13、模拟电子技术 常用半导体器件复习题讲解第一章 常用半导体器件自 测 题 一判断下列说法是否正确,用和表示判断结果填入空内. 1在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体. 2因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

14、半导体器件原理简明教程习题答案半导体器件原理简明教程习题答案傅兴华1.1简述单晶多晶非晶体材料结构的基本特点解整块固体材料中原子或分子的排列呈现严格一致周期性的称为单晶材料 ;原子或分子的排列只在小范围呈现周期性而在大范围不具备周期性的是多。

15、简答题答案:1.空间电荷区是怎样形成的.画出零偏与反偏状态下pn结的能带图.答:当p型半导体和n型半导体紧密结合时,在其交界面附近存在载流子的浓度梯度,它将引起p区空穴向n区扩散,n区电子向p区扩散.因此在交界面附近,p区留下了不能移动的带。

16、2章 常用半导体器件及应用题解2章 常用半导体器件及应用题解第二章 常用半导体器件及应用 一习题 填空 1. 半导材料有三个特性,它们是 . 2. 在本征半导体中加入元素可形成N型半导体,加入元素可形成P型半导体. 3. 二极管的主要特性是。

17、1章 常用半导体器件题解完整第一章 常用半导体器件自 测 题 一判断下列说法是否正确,用和表示判断结果填入空内. 1在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体. 2因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电. 3PN结。

18、1章 常用半导体器件题解第四版第一章 常用半导体器件自 测 题 一判断下列说法是否正确,用和表示判断结果填入空内. 1在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体. 2因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电. 3PN。

19、半导体器件物理复习重点讲解第一章 PN结1.1 PN结是怎么形成的耗尽区:正因为空间电荷区内不存在任何可动的电荷,所以该区也称为耗尽区.空间电荷边缘存在多子浓度梯度,多数载流子便受到了一个扩散力.在热平衡状态下,电场力与扩散力相互平衡.p型。