模拟电子技术习题集Word格式文档下载.docx
《模拟电子技术习题集Word格式文档下载.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《模拟电子技术习题集Word格式文档下载.docx（33页珍藏版）》请在冰点文库上搜索。
（1）Rb＝50kΩ时，uO＝？
（2）若T临界饱和，则Rb≈？
（1）Rb＝50kΩ时，基极电流、集电极电流和管压降分别为
μA
所以输出电压UO＝UCE＝2V。
图T1.6
（2）设临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以
七．测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T1.7所示，它们的开启电压也在表中。
试分析各管的工作状态（截止区、xx流区、可变电阻区），并填入表内。
表T1.7
管号
UGS（th）/V
US/V
UG/V
UD/V
工作状态
T1
4
－5
1
3
T2
－4
10
T3
6
5
因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS管。
根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如解表T1.7所示。
解表T1.7
恒流区
截止区
可变电阻区
习题
1.1选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。
A.五价B.四价C.三价
（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A.增大B.不变C.减小
（3）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为。
A.83B.91C.100
（4）当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将。
A.增大B.不变C.减小
（1）A，C
（2）A（3）C（4）A
1.2能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？
为什么？
不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V时，管子会因电流过大而烧坏。
1.3电路如图P1.3所示，已知ui＝10sinωt（v），试画出ui与uO的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3
解图P1.3
ui和uo的波形如解图P1.3所示。
1.4电路如图P1.4所示，已知ui＝5sinωt（V），二极管导通电压UD＝0.7V。
试画出ui与uO的波形，并标出幅值。
图P1.4
解图P1.4
波形如解图P1.4所示。
1.5电路如图P1.5（a）所示，其输入电压uI1和uI2的波形如图（b）所示，二极管导通电压UD＝0.7V。
试画出输出电压uO的波形，并标出幅值。
图P1.5
uO的波形如解图P1.5所示。
解图P1.5
1.6电路如图P1.6所示，二极管导通电压UD＝0.7V，常温下UT≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；
ui为正弦波，有效值为10mV。
试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？
二极管的直流电流
ID＝（V－UD）/R＝2.6mA
其动态电阻
rD≈UT/ID＝10Ω
故动态电流有效值
Id＝Ui/rD≈1mA图P1.6
1.7现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。
（1）若将它们xx相接，则可得到几种稳压值？
各为多少？
（2）若将它们xx相接，则又可得到几种稳压值？
（1）两只稳压管xx时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
（2）两只稳压管xx时可得0.7V和6V等两种稳压值。
1.8已知稳压管的稳定电压UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA，最大功耗PZM＝150mW。
试求图P1.8所示电路中电阻R的取值范围。
稳压管的最大稳定电流
IZM＝PZM/UZ＝25mA
电阻R的电流为IZM～IZmin，所以其取值范围为
图P1.8
1.9已知图P1.9所示电路中稳压管的稳定电压UZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。
（1）分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值；
（2）若UI＝35V时负载开路，则会出现什么现象?
（1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故
当UI＝15V时，稳压管中的电流大于最图P1.9
小稳定电流IZmin，所以
UO＝UZ＝6V
同理，当UI＝35V时，UO＝UZ＝6V。
（2）29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。
1.10在图P1.10所示电路中，发光二极管导通电压UD＝1.5V，正向电流在5～15mA时才能正常工作。
（1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光？
（2）R的取值范围是多少？
（1）S闭合。
（2）R的范围为
图P1.10
1.11电路如图P1.11（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压UZ＝3V，R的取值合适，uI的波形如图（c）所示。
试分别画出uO1和uO2的波形。
图P1.11
波形如解图P1.11所示
解图P1.11
1.12在温度20℃时某晶体管的ICBO＝2μA，试问温度是60℃时ICBO≈？
60℃时ICBO≈＝32μA。
1.13有两只晶体管，一只的β＝200，ICEO＝200μA；
另一只的β＝100，ICEO＝10μA，其它参数大致相同。
你认为应选用哪只管子？
选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，因其β适中、ICEO较小，因而温度稳定性较另一只管子好。
1.14已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图P1.14所示。
分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。
图P1.14
答案如解图P1.14所示。
解图P1.14
1.15测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.15所示。
在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
图P1.15
晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表P1.15所示。
解表P1.15
管号
T4
T5
T6
上
e
c
b
中
下
管型
PNP
NPN
材料
Si
Ge
1.16电路如图P1.16所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。
试分析VBB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。
（1）当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。
（2）当VBB＝1V时，因为
所以T处于放大状态。
（3）当VBB＝3V时，因为
μA图P1.16
所以T处于饱和状态。
1.17电路如图P1.17所示，试问β大于多少时晶体管饱和？
取UCES＝UBE，若管子饱和，则
所以，时，管子饱和。
图P1.17
1.18电路如图P1.18所示，晶体管的β＝50，|UBE|＝0.2V，饱和管压降|UCES|＝0.1V；
稳压管的稳定电压UZ＝5V，正向导通电压UD＝0.5V。
当uI＝0V时uO＝？
当uI＝－5V时uO＝？
当uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V。
当uI＝－5V时，晶体管饱和，uO＝0.1V。
因为
图P1.18
1.19分别判断图P1.19所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
图P1.19
（a）可能（b）可能（c）不能
（d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。
（e）可能
1.20已知某结型场效应管的IDSS＝2mA，UGS（off）＝－4V，试画出它的转移特性曲线和输出特性曲线，并近似画出予夹断轨迹。
根据方程
逐点求出确定的uGS下的iD，可近似画出转移特性和输出特性；
在输出特性中，将各条曲线xxuGD＝UGS（off）的点连接起来，便为予夹断线；
如解图P1.20所示。
解图P1.20
1.21已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极①、②、③的电位分别为4V、8V、12V，管子工作在xx。
试判断它可能是哪种管子（结型管、MOS管、增强型、耗尽型），并说明①、②、③与G、S、D的对应关系。
管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管，三个极①、②、③与G、S、D的对应关系如解图P1.21所示。
解图P1.21
1.22已知场效应管的输出特性曲线如图P1.22所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。
图P1.22
在场效应管的恒流区作横坐标的垂线〔如解图P1.22（a）所示〕，读出其与各条曲线交点的纵坐标值及UGS值，建立iD＝f（uGS）坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图P1.22（b）所示。
解图P1.22
1.23电路如图1.23所示，T的输出特性如图P1.22所示，分析当uI＝4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。
根据图P1.22所示T的输出特性可知，其开启电压为5V，根据图P1.23所示电路可知所以uGS＝uI。
当uI＝4V时，uGS小于开启电压，故T截止。
当uI＝8V时，设T工作在xx，根据
输出特性可知iD≈0.6mA，管压降
uDS≈VDD－iDRd≈10V
因此，uGD＝uGS－uDS≈－2V，小于开启电压，图P1.23
说明假设成立，即T工作在xx。
当uI＝12V时，由于VDD＝12V，必然使T工作在可变电阻区。
1.24分别判断图P1.24所示各电路中的场效应管是否有可能工作在xx。
图P1.24
（a）可能（b）不能（c）不能（d）可能
第二章基本放大电路
一、在括号内用“”或“×
”表明下列说法是否正确。
（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；
（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；
（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；
（4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；
（5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；
（6）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；
（7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（1）×
（2）√（3）×
（4）×
（7）×
二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图T2.2
（a）不能。
因为输入信号被VBB短路。
（b）可能。
（c）不能。
因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。
（d）不能。
晶体管将因发射结电压过大而损坏。
（e）不能。
因为输入信号被C2短路。
（f）不能。
因为输出信号被VCC短路，xx为零。
（g）可能。
（h）不合理。
因为G-S间电压将大于零。
（i）不能。
因为T截止。
三、在图T2.3所示电路中，已知VCC＝12V，晶体管的＝100，＝100kΩ。
填空：
要求先填文字表达式后填得数。
（1）当＝0V时，测得UBEQ＝0.7V，若要基极电流IBQ＝20μA，则和RW之和Rb＝≈kΩ；
而若测得UCEQ＝6V，则Rc＝≈kΩ。
（2）若测得输入电压有效值=5mV时，输出电压有效值＝0.6V，则电压放大倍数
＝≈。
若负载电阻RL值与RC相等，则带上负载
图T2.3后输出电压有效值＝＝V。
（1）。
（2）。
四、已知图T2.3所示电路xxVCC＝12V，RC＝3kΩ，静态管压降UCEQ＝6V；
并在输出端加负载电阻RL，其阻值为3kΩ。
选择一个合适的答案填入空内。
（1）该电路的最大不失真输出电压有效值Uom≈；
A.2VB.3VC.6V
（2）当＝1mV时，若在不失真的条件下，减小RW，则输出电压的幅值将；
A.减小B.不变C.增大
（3）在＝1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大输入电压，则输出电压波形将；
A.顶部失真B.底部失真C.为正弦波
（4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将。
A.RW减小B.Rc减小C.VCC减小
（1）A
（2）C（3）B（4）B
五、现有直接耦合基本放大电路如下：
A.共射电路B.共集电路C.共基电路
D.共源电路E.共漏电路
它们的电路分别如图2.2.1、2.5.1（a）、2.5.4（a）、2.7.2和2.7.9（a）所示；
设图中Re<
Rb，且ICQ、IDQ均相等。
选择正确答案填入空内，只需填A、B、……
（1）输入电阻最小的电路是，最大的是；
（2）输出电阻最小的电路是；
（3）有电压放大作用的电路是；
（4）有电流放大作用的电路是；
（5）高频特性最好的电路是；
（6）输入电压与输出电压同相的电路是；
反相的电路是。
（1）C，DE
（2）B（3）ACD
（4）ABDE（5）C（6）BCE，AD
六、未画完的场效应管放大电路如图T2.6所示，试将合适的场效应管接入电路，使之能够正常放大。
要求给出两种方案。
根据电路接法，可分别采用耗尽型N沟道和P沟道MOS管，如解图T2.6所示。
图T2.6解图T2.6
2.1按要求填写下表。
电路名称
连接方式（e、c、b）
性能比较（大、中、小）
公共极
输入极
输出极
Ri
Ro
其它
共射电路
共集电路
共基电路
答案如表所示。
连接方式
公共端
输入端
输出端
大
小
频带宽
2.2分别改正图P2.2所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。
要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
图P2.2
（a）将－VCC改为＋VCC。
（b）在＋VCC与基极之间加Rb。
（c）将VBB反接，且在输入端xx一个电阻。
（d）在VBB支路加Rb，在－VCC与集电极之间加Rc。
2.3画出图P2.3所示各电路的直流通路和交流通路。
设所有电容对交流信号均可视为短路。
图P2.3
将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。
图P2.3所示各电路的交流通路如解图P2.3所示；
解图P2.3
2.4电路如图P2.4（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时UBEQ＝0.7V。
利用图解法分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom（有效值）。
图P2.4
空载时：
IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；
最大不失真输出电压峰值约为5.3V，有效值约为3.75V。
带载时：
IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；
最大不失真输出电压峰值约为2.3V，有效值约为1.63V。
如解图P2.4所示。
解图P2.4
2.5在图P2.5所示电路中，已知晶体管的＝80，rbe＝1kΩ，＝20mV；
静态时UBEQ＝0.7V，UCEQ＝4V，IBQ＝20μA。
判断下列结论是否正确，凡对的在括号内打“”，否则打“×
”。
图P2.5
（1）（）
（2）（）
（3）（）（4）（）
（5）（）（6）（）
（7）（）（8）（）
（9）（）（10）（）
（11）≈20mV（）（12）≈60mV（）
（2）×
（3）×
（4）√（5）×
（6）×
（8）√（9）√（10）×
（11）×
（12）√
2.6电路如图P2.6所示，已知晶体管＝50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？
设VCC＝12V，晶体管饱和管压降UCES＝0.5V。
（1）正常情况
（2）Rb1短路（3）Rb1开路
（4）Rb2开路（5）RC短路
图P2.6
设UBE＝0.7V。
则
（1）基极静态电流
（2）由于UBE＝0V，T截止，UC＝12V。
（3）临界饱和基极电流
实际基极电流
由于IB＞IBS，故T饱和，UC＝UCES＝0.5V。
（4）T截止，UC＝12V。
（5）由于集电极直接接直流电源，UC＝VCC＝12V
2.7电路如图P2.7所示，晶体管的＝80，=100Ω。
分别计算RL＝∞和RL＝3kΩ时的Q点、、Ri和Ro。
图P2.7
解2.7在空载和带负载情况下，电路的静态电流、rbe均相等，它们分别为
空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为
RL＝5kΩ时，静态管压降、电压放大倍数分别为
2.8在图P2.7所示电路中，由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图P2.8（a）、（b）、（c）所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。
图P2.8
（a）饱和失真，增大Rb，减小Rc。
（b）截止失真，减小Rb。
（c）同时出现饱和失真和截止失真，应增大VCC。
2.9若由PNP型管组成的共射电路中，输出电压波形如图P2.8（a）、（b）、（c）所示，则分别产生了什么失真？
（a）截止失真；
（b）饱和失真；
（c）同时出现饱和失真和截止失真。
2.10已知图P2.10所示电路中晶体管的＝100，rbe=1kΩ。
（1）现已测得静态管压降UCEQ＝6V，估算Rb约为多少xx；
（2）若测得和的有效值分别为1mV和100mV，则负载电阻RL为多少xx？
图P2.10
（1）求解Rb
（2）求解RL：
2.11在图P2.10所示电路中，设静态时ICQ＝2mA，晶体管饱和管压降UCES＝0.6V。
当负载电阻RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的最大不失真输出电压各为多少伏？
由于ICQ＝2mA，所以UCEQ＝VCC－ICQRc＝6V。
空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。
时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。
2.12在图P2.10所示电路中，设某一参数变化时其余参数不变，在表中填入①增大②减小或③基本不变。
参数变化
IBQ
UCEQ
Ri
Ro
Rb增大
Rc增大
RL增大
答案如解表P2.12所示。
解表P2.12所示
②
①
③
2.13电路如图P2.13所示，晶体管的＝100，=100Ω。
（1）求电路的Q点、、Ri和Ro；
（2）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？
如何变化？
图P2.13
（1）静态分析：
动态分析：
（2）Ri增大，Ri≈4.1kΩ；
减小，≈－1.92。
2.14试求出图P2.3（a）所示电路Q点、、Ri和Ro的表达式。
Q点为
、Ri和Ro的表达式分别为
2.15试求出图P2.3（b）所示电路Q点、、Ri和Ro的表达式。
设静态时R2中的电流xxT的基极电流。
解:
Q点：
2.16试求出图P2.3（c）所示电路Q点、、Ri和Ro的表达式。
设静态时R2中的电流xxT2管的基极电流且R3中的电流xxT1管的基极电流。
两只晶体管的静态电流、管压降分析如下：
、Ri和Ro的表达式分析如下：
2.17设图P2.17所示电路所加输入电压为正弦波。
图P2.17
（1）=/≈?
=/≈?
（2）画出输入电压和输出电压ui、uo1、uo2的波形；
（1）因为通常β＞＞1，所以电压放大倍数分别应为
（2）两个电压放大倍数说明uo1≈－ui，uo2≈ui。
波形如解图P1.17所示。
解图P1.17
2.18电路如图P2.18所示，晶体管的＝80，rbe=1kΩ。
（1）求出Q点
升级会员 