模拟电子技术习题集

1、模拟电子技术基础习题册第一章: 基本放大电路习题 11 填空: 1本征半导体是 ,其载流子是 和 .载流子的浓度 . 2在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 ,而少数载流子的浓度则与 有很大关系. 3漂移电流是 在 作用下形成的. 4。

2、模拟电子技术综合复习题 模拟电子技术 综合复习资料第一章 常用半导体器件一选择1在晶体管放大电路中,测得晶体管的各个电极的电位如下图所示,该晶体管的类型是 A A. NPN型硅管 B. PNP型硅管 C. NPN型锗管 2V 6VD. PN。

3、模拟电子技术基础复习题模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件自测题一判断下列说法是否正确,用和表示判断结果填入空内.1在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体. 2因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电. 。

4、模拟电子技术基础习题课模拟电子技术基础1. 在模拟集成放大电路中,二极管的作用是 . A保护 B电平移位 C温度补偿 D电压放大答:ABC2. 运算放大器输出接负载RL,当负载RL变化时,要求负载RL两端电压不变,运算放大器采用 负反馈.A。

5、模拟电子技术习题及答案模 拟 电 子 技 术第1章 半导体二极管及其基本应用11 填空题1半导体中有 空穴 和 自由电子 两种载流子参与导电.2本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成 N 型半导体,其多数载流子是 电子 ;若掺入微量的三。

6、一选择题从下面各题四个备选答案中选出所有正确答案,并将其代号写在题干后的括号内,答案选错或未选全者,该题不得分.每小题2分,共20分1. 半导体中PN结的形成是由于产生的. A. N区自由电子向P区的扩散运动 B. N区自由电子向P区的漂移。

7、模拟电子技术模拟试题模拟电子技术模拟试题一一 填空题:每空1分 共40分 1PN结正偏时导通 ,反偏时截止 ,所以PN结具有单向 导电性. 2漂移电流是反向电流,它由少数载流子形成,其大小与温度有关,而与外加电压无关. 3所谓理想二极管,就。

8、模拟电子技术练习题专科模拟电子技术练习题1在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的负载电阻.A. 正确 B. 错误正确:A2将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路,全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压即变压器副边电压有效值。

9、模拟电子技术模拟试题模拟电子技术模拟试题四一 填空题每空1分 ,共32分1自由电子为 载流子,空穴为 载流子的杂质半导体称为 半导体.2PN结的单向导电性,就是PN结正偏时 ,反偏时 .3扩展运动形成的电流是 电流,漂移运动形成的电流是 。

10、1Rb50k时,uO2若T临界饱和,则Rb1Rb50k时,基极电流集电极电流和管压降分别为A所以输出电压UOUCE2V.图T1.62设临界饱和时UCESUBE0.7V,所以。

11、模拟电子技术基础习题,第一章 半导体二极管及其应用电路,第二章 半导体三极管及其放大电路,第三章 场效应晶体管及其放大电路,第四章 集成运算放大器,第六章 运放应用电路,第七章 功率放大电路,第八章 波形发生和变换电路,第九章 直流稳压电源。

12、模拟电子技术基础习题册docx专业 姓名 学号 成绩11 写出如图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压 UD.12 在单相桥式整流电路中,已知输出电压平均值 UOAV15V,负载电流平 均 值 I L AV 100mA .1变压器副边电。

13、模拟电子技术练习小 模 拟 电 子 技 术 练 习填 空1.半导体是一种导电能力介于 与 之间的物质 .2.当外界温度光照等发生变化时,半导体的能力会发生很大变化.3.在半导体中,参与导电的不仅有,而且还有,这是半导体区别导体导电的重要特征。

14、模拟电子技术习题复习要点复习要点 第一章 半导体器件基础 第一节 半导体基本知识一 本征半导体 常用半导体材料 半导体的原子结构 本征半导体 本征激发热激发 电子空穴对 半导体的载流子导电机理 二 杂质半导体 N型半导体及其特性 P型半导体。

15、模拟电子技术基础习题模拟电子技术考试题型一判断思考题二填空改错题三分析与选择题四计算题五设计题模拟电子技术习题部分一填空题 1根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为 绝缘体 导体 和 半导体 三类.2P型半导体的多数载流子是 空穴 ,少数。

16、模拟电子技术习题综述模拟电子技术习题第一章 二极管1在N型半导体中,多数载流子为D,P型半导体.A空穴 带正电 B自由电子 带负电 C空穴 不带电 D自由电子 不带电2本征半导体中,自由电子的浓度C空穴的浓度. A大于 B小于 C等于 D不。