半导体器件基础习题三文档格式.docx

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解：

由

先计算

故

再计算

代入

可得

2，已知硅栅N沟MOSFET的P型衬底掺杂浓度

NA=1.5×

1015atoms／cm3，栅氧化层厚度dsio2＝1000Å

多晶硅中掺入磷的浓度

1018atoms／cm3

求MOSFET的阈值电压。

根据给出的数据，可以算出

3，硅栅N沟MOSFET场区氧化层厚度dsio2＝104Å

氧化层中固定正电荷密度

QSS/q＝1011atoms／cm2

如果在场区增加掺杂浓度

NA＝5×

1015atoms／cm3

试求厚膜场区的阈值电压。

这时因为有

根据数据可得

4．铝栅N沟MOSFET的P型衬底掺杂浓度

NA＝2.0×

1015atoms／cm3

氧化层厚度

dsio2＝1500Å

铝的功函数

Wm＝4.20eV

P型硅掺杂浓度为NA＝1.5×

1016atoms／cm3时的功函数

Wsi＝4.97eV

试求氧化层中固定正电荷密度分别为

QSS／q=5×

1010atoms／cm2

1011atoms／cm2

时的阈值电压。

考虑功函数差UMS和氧化层中的电荷QSS：

功函数差

UMS=4.20V-4.97V=-0.77V

计算

阈值电压

UT

=-0.77V–0.47V+0.1V+0.66V

=-0.48V

5．试问图示MOSFET处于饱和状态还是非饱和状态？

图（a）是P沟MOSFET，衬底接地，

因为

|UDS|＞|UGS|-|UT|

即

8V＞（5-3）V，

所以处于饱和工作状态。

图（b）是N沟MOSFET，衬底也接地

由于

UDS＞UGS–UT

即

9V＞（8-2）V

也处于饱和工作状态。

图（c）是衬底接负偏压的N沟MOSFET，

UDS＜UGS–UT

8V＜（12-2）V

将处于非饱和工作状态。

图（d）是饱和工作状态的MOSFET，沟道端电压（沿沟道的电压降）固定在

18-3V=15V

出师表

两汉：

诸葛亮

　　先帝创业未半而中道崩殂，今天下三分，益州疲弊，此诚危急存亡之秋也。

然侍卫之臣不懈于内，忠志之士忘身于外者，盖追先帝之殊遇，欲报之于陛下也。

诚宜开张圣听，以光先帝遗德，恢弘志士之气，不宜妄自菲薄，引喻失义，以塞忠谏之路也。

　　宫中府中，俱为一体；

陟罚臧否，不宜异同。

若有作奸犯科及为忠善者，宜付有司论其刑赏，以昭陛下平明之理；

不宜偏私，使内外异法也。

　　侍中、侍郎郭攸之、费祎、董允等，此皆良实，志虑忠纯，是以先帝简拔以遗陛下：

愚以为宫中之事，事无大小，悉以咨之，然后施行，必能裨补阙漏，有所广益。

　　将军向宠，性行淑均，晓畅军事，试用于昔日，先帝称之曰“能”，是以众议举宠为督：

愚以为营中之事，悉以咨之，必能使行阵和睦，优劣得所。

　　亲贤臣，远小人，此先汉所以兴隆也；

亲小人，远贤臣，此后汉所以倾颓也。

先帝在时，每与臣论此事，未尝不叹息痛恨于桓、灵也。

侍中、尚书、长史、参军，此悉贞良死节之臣，愿陛下亲之、信之，则汉室之隆，可计日而待也

。

　　臣本布衣，躬耕于南阳，苟全性命于乱世，不求闻达于诸侯。

先帝不以臣卑鄙，猥自枉屈，三顾臣于草庐之中，咨臣以当世之事，由是感激，遂许先帝以驱驰。

后值倾覆，受任于败军之际，奉命于危难之间，尔来二十有一年矣。

　　先帝知臣谨慎，故临崩寄臣以大事也。

受命以来，夙夜忧叹，恐托付不效，以伤先帝之明；

故五月渡泸，深入不毛。

今南方已定，兵甲已足，当奖率三军，北定中原，庶竭驽钝，攘除奸凶，兴复汉室，还于旧都。

此臣所以报先帝而忠陛下之职分也。

至于斟酌损益，进尽忠言，则攸之、祎、允之任也。

　　愿陛下托臣以讨贼兴复之效，不效，则治臣之罪，以告先帝之灵。

若无兴德之言，则责攸之、祎、允等之慢，以彰其咎；

陛下亦宜自谋，以咨诹善道，察纳雅言，深追先帝遗诏。

臣不胜受恩感激。

　　今当远离，临表涕零，不知所言。