01半导体器件

1、半导体器件与物理试题西安电子科技大学考试时间 120 分钟试 题 A题号一二三四五六总分分数1.考试形式:闭卷;2.本试卷共 六 大题,满分100分.班级 学号 姓名 任课教师 贾新章游海龙 一20分名词解释1 单边突变结2 大注入3 基区。

2、第七章 绝缘栅双极晶体管IGBT,7.1 原理与特性,一概述 IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor 近年来出现了许多新型复合器件,它们将前述单极型和双极性器件的各自优点集于一身,扬长避短,使其特性更加。

3、1简要的回答并说明理由:pn结的势垒宽度主要决定于n型一边还是p型一边的掺杂浓度pn结的势垒宽度与温度的关系怎样pn结的势垒宽度与外加电压的关系怎样Schottky势垒的宽度与半导体掺杂浓度和温度分别有关吗解答pn结是单边突变结,其势垒厚度。

4、半导体器件物理,国家级精品课程半导体器件物理与实验,Physics of Semiconductor Devices,半导体器件物理课程简介,课程简介,国家级精品课程半导体器件物理与实验,半导体器件物理与实验,2005 年5月2005 年8。

5、半导体发光器件led常识半导体发光器件led常识 半导体发光器件包括半导体发光二极管简称LED数码管符号管米字管及点阵式显示屏简称矩阵管等.事实上,数码管符号管米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管. 一 半导体发光二极管工作原理。

6、1,半导体光电子器件,1409911112班2012.0306张鹤鸣 88201500013319276116,2,Complete Guide to Semiconductor Device指出:半导体器件有67种,110余变种,概 述。

7、第一章功率半导体器件第一章 功率半导体器件1.1 概述1.1.1 功率半导体器件的定义图11为电力电子装置的示意图,输入电功率经功率变换器变换后输出至负载.功率变换器即为通常所说的电力电子电路也称主电路,它由电力电子器件构成.目前,除了在大。

8、半导体器件物理简答题简答题答案:1.空间电荷区是怎样形成的.画出零偏与反偏状态下pn结的能带图.答:当p型半导体和n型半导体紧密结合时,在其交界面附近存在载流子的浓度梯度,它将引起p区空穴向n区扩散,n区电子向p区扩散.因此在交界面附近,p。

9、第八章 发光二极管和半导体激光器第八章 发光二极管和半导体激光器1907.Round发现电流通过硅检波器时有黄光发生1923.Lossev在碳化硅检波器中观察到类似现象1955.Braunstein首次在三五族化合物中观察到辐射复合1961。

10、16面密度：在晶体中单位面积中的原子数称为面密度，单位面积中的化学键数称为键密度。
17晶格缺陷：理想的晶体，其原子的排列是无间隙的、周期性的、无限重复的由规则性的排列，但在自然界的晶体物质不会有那么完美的结构，晶格排列中的任何不。

11、第三章 半导体的表面特性,第3章 半导体的表面特性,本章要点,半导体的表面与SiSiO2系统的特性表面空间电荷区的状态和表面势的概念MOS结构的阈值电压和MOS结构的应用MOS结构的CV特性金属与半导体接触肖特基势垒二极管SBD,3.1 。

12、常用半导体器件习题1.1 选择合适答案填入空内.1在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,加入 元素可形成P型半导体.A. 五价 B. 四价 C. 三价2当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 .A. 增大 B. 不变 C. 减小3工作在放。

13、现代半导体器件物理,第一章 简介,Physics of Modern Semiconductor Devices,课程概况,课程名:现代半导体器件物理学时:32 时间:秋季学期521周授课方式:讲授自学课后作业小型科技论文考核比例:总分10。

14、半导体器件基础教案第一章半导体器件基础学习目标1.了解PN结的单向导电性.2.熟悉二极管的伏安特性3.了解开关二极管整流二极管稳压二极管的基本用途.4.掌握三极管输出特性曲线中的截止区放大区和饱和区等概念.5.熟悉三极管共发射极电流放大系数。

15、半导体物理器件实验1方案选择:产生调频信号的电路叫做调频器,对他有4个主要的要求:1 已调波的瞬时频率与调制信号成比例变化.2 未调制时的载波频率即已调波的中心频率具有一定的稳定度.3 最大频偏与调制频率无关.4 无寄生调幅或寄生调幅尽量小。

16、半导体发光器件实验第一章 CSY2000G光电传感器实验仪说明 CSY2000G光电传感器实验仪主要有主机箱传感器装置实验模板实验桌四大部分组成一主机箱:供电电源AC220V,50HZ.额定功率200W.1有实验所需的电源压力源012V连续。

17、半导体器件基本方程本课程的授课对象是电子科学与技术微电子技术方向专业和集成电路设计与集成系统专业的本科生,属于专业方向选修课.本课程的目的是使学生掌握半导体器件基本方程PN结二极管双极结型晶体管与场效应晶体管的基本理论与主要特点.这些内容都。

18、第一章 常用半导体器件,第一章 常用 器件,半导体,金属,惰性气体,硅锗,4,4,4,小,易,大,二者之间,不易,二者之间,半导体,1.1.1 本征半导体,1.1 半导体基础知识,纯净的晶体结构的半导体,无杂质,半导体硅和锗的最外层电子价电。

19、第一章半导体器件精第一章 半导体器件本章是本课程的基础,应着重掌握以下要点:1半导体的导电特性.2PN结的形成及其单向导电性3三极管的结构类型及其电流放大原理4三极管的特性及其主要参数本章内容:1.1 半导体基础知识1.2 PN结及半导体二。