ICT测试程式标准模板.docx
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ICT测试程式标准模板
．目录．
文件修订履历表2
1.目的3
2.适用范围3
3.权责3
4.相关参考文件3
5.名词定义3
6．标准3
文件修订履历表
序
号
版
次
文件编号
制/修订内容
说明
制/修订
日期
作成
审查
核准
1
1.0
首次设定
.02.15
林凡
义
资料内容仅供您学习参考，如有不当或者侵权，请联系改正或者删除。
1.目的
1.1为使本公司ICT测试程式标准化,统一化,特订定本标准。
2.适用范围
2.1凡使用于本公司ICT测试程式均适用之。
3.权责
3.1制作单位:
ICT治具厂商
3.2维护单位:
ICT工程师
3.3使用单位:
ICT测试员
4.相关参考文件
无
5.名词定义
无
6.标准
6.1测试参数
6.1.1程序命名方式板号+小管号.
6.1.2自动存盘功能设定10片.
6.1.3重测次数设为3次.
6.1.4Firstpin为1,Lastpin设定为SWB（256）的整数倍并大于下针盘的最后一针点数6.1.5OPS档设定原则为2（155585）,”短路RawTest-1”字段
打勾,但可视情况调整.
6.1.6测试不良报表打印最大行数设为20,打印方式为按F12
打印
6.2Open/ShortLearning
6.2.1若GND与VCC为同一个ShortGroup时，在MDA程序加
阻抗测试,期望阻值依机板阻值而订,误差范围-1%,-10%;一般使用MODE2,GNDpin一般置于Hi-pin,VCCpin一般置于Low-pin.
6.3测试数据编辑
6.3.1程序需对照BOM表确认是否有漏（错）KEY或SKIP错误之现象
6.3.2确认不良零件区块（横行/纵行）之设定是否与点图相符.6.3.3BoardView显示零件面并调整与M/B方向一致6.3.4零件SKIP时,需注明原因,/NC;/NP;/C;/R;/Q;/BP;/M;等6.3.5所有零件按照J-R-C-X-L-F-D-Q-U排序
6.3.6零件位置上已layout短路线若BOM无零件，则不外加测试（零件名称前不加J）
6.3.7电阻
A.按照零件值排序（零件名称前不加J）
B.电阻值OQ~10Q（不包含10Q）使用Jump方式测试
C.电阻在10Q~1KQ（不包含1KQ）误差范围+40%,-40%
D.排阻的阻抗低于1KQ（不包含1KQ）误差范围
+4O%,-2O%
E.电阻值三1KQ误差范围+10%,-10%
F.当电阻并联D,Q,IC时,必须使用MODE1或MODE2
G.电阻值三1MQ时，一般使用MODE2误差范围+40%-60%
H.热敏电阻,一般使用MODE1,误差范围+4O%-9O%
I.蜂鸣器（BUZZER）以阻抗方式测试,期望值42Q,误差范
围+40%,-40%
6.3.8电容
A.按照零件值排序
B.电容值<33P时，全部SKIP,并注明/BP（example:
C315/BP）
C.容值三P时,需将此VCC或GND至于Hi-Pin,且需用
MODE2,不加隔离点
D.40uF（含）以上之电解电容，一般使用MODE8测试
E.电容1uF与0.1uF误差范围+80%-60%
F.电容1uF与0.1uF有并联情况时，误差范围+80%-60%
G.电容2.2uF&O.O1uF之间的其它电容,误差范围+8O%-6O%
H.电解电容（CE）若有并联（CE）,误差范围+30%-10%,开启一个STEP即可
I.电解电容（CE）若无并联（CE）,误差范围+30%-30%
J.其它电容误差范围+80%-60%
K.小电容并联大电容时，小电容之测试STEP要Skip
L.当SMT电容与DIP电容有并联时,合理优化下限以提高程序对零件缺件的可卡性.
6.3.9震荡器
A.震荡器使用电容方式测试
6.3.10电感
A.电感使用Jump方式测试，MODE0,Delay30
6.3.11二极管
A.二极管，误差范围+30%-30%,—般使用M0DE1,当量测值
小于0.3V时须加Delay30
B.二极管需加测一反向STEP,标准值及实际值设1.5V，误差
范围--50%,MODE1
C.ZD加测反向崩溃电压（约3.9V以上），误差范围
+50%-30%,MODE1,Delay30
D.LED参数为Act/Std=2.3V,误差范围
+30%-30%,Mode=1,Delay=30
6.3.12晶体管
A.一般晶体管（NPN型）,使用电压测试Step1（B-
C）Act/Std=0.7V,误差范围+50%-50%,Type=Q
MODE=1
B.一般晶体管（NPN型）,使用电压测试Step2（B-
E）Act/Std=0.7V,误差范围+50%-50%,Type=Q
MODE=1
C.一般晶体管（NPN型）,使用电压测试Step3（C-E-
B）Act=5V,Std=0.3V,误差范围+30%-1%,隔离点=B,MODE=4
D.—般晶体管（PNP型）,使用电压测试Step1（C-
B）Act/Std=0.7V,误差范围+50%-50%,Type=Q
MODE=1
E.一般晶体管（PNP型）,使用电压测试Step2（E-
B）Act/Std=0.7V,误差范围+50%-50%,Type=Q
MODE=1
F.一般晶体管（PNP型）,使用电压测试Step3（E-C-
B）Act=5V,Std=0.3V,误差范围+30%-1%,隔离点
=B,MODE=3
G.NMOS-FET电压测试Step1（S-D）Act/Std=0.7V,误差范围
+30%-30%MODE=1
H.NMOS-FET电压测试Step2（S-D-G）Act=5V,Std=0.3V,误差范围+30%-1%Delay=50MODE=4隔离点=G
I.NMOS-FET电压测试Step2（S—D—G）若并联Diode时，
误差改为+15%-1%
J.PMOS-FET电压测试Step1（D—S）Act/Std=0.7V,误差范围
+30%-30%MODE=1
K.PMOS-FET电压测试Step2（D—S—G）Act=5V,Std=0.3V,
误差范围+30%-1%Delay=50MODE=3隔离点=G
L.PMOS-FET电压测试Step2（D—S）若并联Diode时,误差改为+15%-1%
M.ALLMOS-FET于STEP后加入N型orP型
Q12-2-3（N）
大（中）型MOSFET加测一个电容STEPG-S脚（1-2）orG-D脚（1-3）,标准值设定值为3000PF用MODE2测试误差范围-1_30%,RepeatD（Hilowpin不可change）
6.3.12ICClampingDiode
A.ICClampingDiodeMODE=2,误差范围+30%-30%,需
LearningVCCorGND
B.IC测试之电压脚位优先选择顺序为+3V—+5V—+12V
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