NandFlash详述绝对经典.docx
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NandFlash详述绝对经典
NandFlash详述
1. 硬件特性：
【Flash的硬件实现机制】
Flash全名叫做FlashMemory，属于非易失性存储设备（Non-volatileMemoryDevice），与此相对应的是易失性存储设备（VolatileMemoryDevice）。
这类设备，除了Flash，还有其他比较常见的如硬盘，ROM等，
与此相对的，易失性就是断电了，数据就丢失了，比如大家常用的存，不论是以前的SDRAM，DDRSDRAM，还是现在的DDR2，DDR3等，都是断电后，数据就没了。
Flash的部存储是MOSFET，里面有个悬浮门（FloatingGate），是真正存储数据的单元。
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金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effecttransistor）。
MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOSFET、PMOSFET、nMOSFET、pMOSFET等。
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在Flash之前，紫外线可擦除（uv-erasable）的EPROM，就已经采用用FloatingGate存储数据这一技术了。
图1.典型的Flash存单元的物理结构
数据在Flash存单元中是的。
存储电荷的多少，取决于图中的外部门（externalgate）所被施加的电压，其控制了是向存储单元中冲入电荷还是使其释放电荷。
数据的表示，以所存储的电荷的电压是否超过一个特定的阈值Vth来表示。
【SLC和MLC的实现机制】
NandFlash按照部存储数据单元的电压的不同层次，也就是单个存单元中，是存储1位数据，还是多位数据，可以分为SLC和MLC：
1. SLC，SingleLevelCell:
单个存储单元，只存储一位数据，表示成1或0.
就是上面介绍的，对于数据的表示，单个存储单元中部所存储电荷的电压，和某个特定的阈值电压Vth，相比，如果大于此Vth值，就是表示1，反之，小于Vth，就表示0.
对于nandFlash的数据的写入1，就是控制ExternalGate去充电，使得存储的电荷够多，超过阈值Vth，就表示1了。
而对于写入0，就是将其放电，电荷减少到小于Vth，就表示0了。
关于为何NandFlash不能从0变成1，我的理解是，物理上来说，是可以实现每一位的，从0变成1的，但是实际上，对于实际的物理实现，出于效率的考虑，如果对于，每一个存储单元都能单独控制，即，0变成1就是，对每一个存储单元单独去充电，所需要的硬件实现就很复杂和昂贵，同时，所进行对块擦除的操作，也就无法实现之前的，一闪而过的速度了，也就失去了Flash的众多特性了。
//也就是放电的思路还是容易些。
1->0
2. MLC，MultiLevelCell：
与SLC相对应，就是单个存储单元，可以存储多个位，比如2位，4位等。
其实现机制，说起来比较简单，就是，通过控制部电荷的多少，分成多个阈值，通过控制里面的电荷多少，而达到我们所需要的存储成不同的数据。
比如，假设输入电压是Vin＝4V（实际没有这样的电压，此处只是为了举例方便），那么，可以设计出2的2次方＝4个阈值，1/4的Vin＝1V，2/4的Vin＝2V，3/4的Vin＝3V，Vin＝4V，分别表示2位数据00，01，10，11，对于写入数据，就是充电，通过控制部的电荷的多少，对应表示不同的数据。
对于读取，则是通过对应的部的电流（与Vth成反比），然后通过一系列解码电路完成读取，解析出所存储的数据。
这些具体的物理实现，都是有足够精确的设备和技术，才能实现精确的数据写入和读出的。
单个存储单元可以存储2位数据的，称作2的2次方＝4LevelCell，而不是2LevelCell；
同理，对于新出的单个存储单元可以存储4位数据的，称作2的4次方＝16LevelCell。
【关于如何识别SLC还是MLC】
NandFlash设计中，有个命令叫做ReadID，读取ID，意思是读取芯片的ID，就像大家的一样，这里读取的ID中，是：
读取好几个字节，一般最少是4个，新的芯片，支持5个甚至更多，从这些字节中，可以解析出很多相关的信息，比如：
此NandFlash部是几个芯片（chip）所组成的，
每个chip包含了几片（Plane），
每一片中的页大小，块大小，等等。
在这些信息中，其中有一个，就是识别此flash是SLC还是MLC。
下面这个就是最常见的NandFlash的datasheet中所规定的，第3个字节，3rdbyte，所表示的信息，其中就有SLC/MLC的识别信息：
Description
I/O7
I/O6
I/O5I/O4
I/O3I/O2
I/O1I/O0
Internal
ChipNumber
1
2
4
8
0 0
0 1
1 0
1 1
CellType
2LevelCell
4LevelCell
8LevelCell
16LevelCell
0 0
0 1
1 0
1 1
Numberof
Simultaneously
ProgrammedPages
1
2
4
8
0 0
0 1
1 0
1 1
InterleaveProgram
Betweenmultiplechips
NotSupport
Support
0
1
CacheProgram
NotSupport
Support
0
1
表1.NandFlash第3个ID的含义
【NandFlash的物理存储单元的阵列组织结构】
Nandflash的部组织结构，此处还是用图来解释，比较容易理解：
图2.NandFlash物理存储单元的阵列组织结构
上图是K9K8G08U0A的datasheet中的描述。
简单解释就是:
1.一个nandflash由很多个块（Block）组成，
块的大小一般是
-> 128KB，
-> 256KB，
-> 512KB
此处是128KB。
2.每个块里面又包含了很多页（page）。
每个页的大小，
老的nandflash，页大小是256B，512B，
这类的nandflash被称作smallblock，。
地址周期只有4个。
对于现在常见的nandflash多数是2KB，
被称作bigblock，对应的发读写命令地址，一共5个周期（cycle），
更新的nandflash是4KB，
块，也是NandFlash的擦除操作的基本/最小单位。
3.每一个页，对应还有一块区域，叫做空闲区域（sparearea）/冗余区域（redundantarea），而Linux系统中，一般叫做OOB（OutOfBand），这个区域，是最初基于NandFlash的硬件特性：
数据在读写时候相对容易错误，所以为了保证数据的正确性，必须要有对应的检测和纠错机制，此机制被叫做EDC（ErrorDetectionCode）/ECC（ErrorCodeCorrection,或者ErrorCheckingandCorrecting），所以设计了多余的区域，用于放置数据的校验值。
页,是NandFlash的写入操作的基本/最小的单位。
【NandFlash数据存储单元的整体架构】
简单说就是，常见的nandflash，部只有一个chip，每个chip只有一个plane。
而有些复杂的，容量更大的nandflash，部有多个chip，每个chip有多个plane。
这类的nandflash，往往也有更加高级的功能，比如下面要介绍的MultiPlaneProgram和InterleavePageProgram等。
比如，型号为K9K8G08U0A这个芯片（chip），
部有:
K9F4G08U0A（256MB） :
Plane（1Gb）,Plane（1Gb）
K9F4G08U0A（256MB） :
Plane（1Gb）,Plane（1Gb）
K9WAG08U1A ，部包含了2个K9K8G08U0A
K9NBG08U5A ，部包含了4个K9K8G08U0A
【Flash名称的由来】
Flash的擦除操作是以block块为单位的，与此相对应的是其他很多存储设备，是以bit位为最小读取/写入的单位，Flash是一次性地擦除整个块：
在发送一个擦除命令后，一次性地将一个block，常见的块的大小是128KB/256KB。
。
，全部擦除为1，也就是里面的容全部都是0xFF了，由于是一下子就擦除了，相对来说，擦除用的时间很短，可以用一闪而过来形容，所以，叫做FlashMemory。
中文有的翻译为（快速）闪存。
【Flash相对于普通设备的特殊性】
1. 上面提到过的，Flash最小操作单位，有些特殊。
一般设备，比如硬盘/存，读取和写入都是以bit位为单位，读取一个bit的值，将某个值写入对应的地址的位，都是可以按位操作的。
但是Flash由于物理特性，使得部存储的数据，只能从1变成0，这点，可以从前面的部实现机制了解到，只是方便统一充电，不方便单独的存储单元去放电，所以才说，只能从1变成0，也就是释放电荷。
所以，总结一下Flash的特殊性如下：
普通设备（硬盘/存等）
Flash
读取/写入的叫法
读取/写入
读取/编程（Program）①
读取/写入的最小单位
Bit/位
Page/页
擦除（Erase）操作的最小单位
Bit/位
Block/块②
擦除操作的含义
将数据删除/全部写入0
将整个块都擦除成全是1，也就是里面的数据都是0xFF③
对于写操作
直接写即可
在写数据之前，要先擦除，然后再写
表2.Flash和普通设备相比所具有的特殊性
注：
①之所以将写操作叫做编程，是因为，flash和之前的EPROM，EEPROM继承发展而来，而之前的EEPROM（ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory），往里面写入数据，就叫做编程Program，之所以这么称呼，是因为其对数据的写入，是需要用电去擦除/写入的，就叫做编程。
②对于目前常见的页大小是2K/4K的NandFlash，其块的大小有128KB/256KB/512KB等。
而对于NorFlash，常见的块大小有64K/32K等。
③在写数据之前，要先擦除，部就都变成0xFF了，然后才能写入数据，也就是将对应位由1变成0。
【NandFlash引脚（Pin）的说明】
图3.NandFlash引脚功能说明
上图是常见的NandFlash所拥有的引脚（Pin）所对应的功能，简单翻译如下：
1. I/O0~I/O7：
用于输入地址/数据/命令，输出数据
2. CLE：
CommandLatchEnable，命令锁存使能，在输入命令之前，要先在模式寄存器中，设置CLE使能
3. ALE：
AddressLatchEnable，地址锁存使能，在输入地址之前，要先在模式寄存器中，设置ALE使能
4. CE#：
ChipEnable，芯片使能，在操作NandFlash之前，要先选中此芯片，才能操作
5. RE#：
ReadEnable，读使能，在读取数据之前，要先使CE＃有效。
6. WE#：
WriteEnable，写使能,在写取数据之前，要先使WE＃有效。
7. WP#：
WriteProtect，写保护
8. R/B#:
Ready/BusyOutput,就绪/忙,主要用于在发送完编程/擦除命令后,检测这些操作是否完成,忙,表示编程/擦除操作仍在进行中,就绪表示操作完成.
9. Vcc：
Power，电源
10. Vss：
Ground，接地
11. N.C：
Non-Connection,未定义，未连接。
[小常识]
在数据手册中，你常会看到，对于一个引脚定义，有些字母上面带一横杠的，那是说明此引脚/信号是低电平有效，比如你上面看到的RE头上有个横线，就是说明，此RE是低电平有效，此外，为了书写方便，在字母后面加“＃”，也是表示低电平有效，比如我上面写的CE＃；如果字母头上啥都没有，就是默认的高电平有效，比如上面的CLE，就是高电平有效。
【为何需要ALE和CLE】
突然想明白了，NandFlash中,为何设计这么多的命令,把整个系统搞这么复杂的原因了:
比如命令锁存使能（CommandLatchEnable,CLE）和地址锁存使能（AddressLatchEnable，ALE），那是因为，NandFlash就8个I/O，而且是复用的，也就是，可以传数据，也可以传地址，也可以传命令，为了区分你当前传入的到底是啥，所以，先要用发一个CLE（或ALE）命令，告诉nandFlash的控制器一声，我下面要传的是命令（或地址），这样，里面才能根据传入的容，进行对应的动作。
否则,nandflash部,怎么知道你传入的是数据,还是地址,还是命令啊,也就无法实现正确的操作了.
【NandFlash只有8个I/O引脚的好处】
1. 减少外围引脚：
相对于并口（Parellel）的NorFlash的48或52个引脚来说，的确是大大减小了引脚数目，这样封装后的芯片体积，就小很多。
现在芯片在向体积更小，功能更强，功耗更低发展，减小芯片体积，就是很大的优势。
同时，减少芯片接口，也意味着使用此芯片的相关的外围电路会更简化，避免了繁琐的硬件连线。
2. 提高系统的可扩展性，因为没有像其他设备一样用物理大小对应的完全数目的addr引脚，在芯片部换了芯片的大小等的改动，对于用全部的地址addr的引脚，那么就会引起这些引脚数目的增加，比如容量扩大一倍，地址空间/寻址空间扩大一倍，所以，地址线数目/addr引脚数目，就要多加一个，而对于统一用8个I/O的引脚的NandFlash，由于对外提供的都是统一的8个引脚，部的芯片大小的变化或者其他的变化，对于外部使用者（比如编写nandflash驱动的人）来说，不需要关心，只是保证新的芯片，还是遵循同样的接口，同样的时序，同样的命令，就可以了。
这样就提高了系统的扩展性。
【Nandflash的一些典型（typical）特性】
1.页擦除时间是200us，有些慢的有800us。
2.块擦除时间是1.5ms.
3.页数据读取到数据寄存器的时间一般是20us。
4.串行访问（Serialaccess）读取一个数据的时间是25ns，而一些旧的nandflash是30ns，甚至是50ns。
5.输入输出端口是地址和数据以及命令一起multiplex复用的。
以前老的NandFlash，编程/擦除时间比较短，比如K9G8G08U0M，才5K次，而后来很多6.nandflash的编程/擦除的寿命，最多允许的次数，以前的nandflash多数是10K次，也就是1万次，而现在很多新的nandflash，技术提高了，比如，Micron的MT29F1GxxABB，Numonyx的NAND04G-B2D/NAND08G-BxC，都可以达到100K，也就是10万次的编程/擦除。
和之前常见的NorFlash达到同样的使用寿命了。
7.48引脚的TSOP1封装或52引脚的ULGA封装
【NandFlash中的特殊硬件结构】
由于nandflash相对其他常见设备来说，比较特殊，所以，特殊的设备，也有特殊的设计，所以，有些特殊的硬件特性，就有比较解释一下：
1.页寄存器（PageRegister）：
由于NandFlash读取和编程操作来说，一般最小单位是页，所以，nandflash在硬件设计时候，就考虑到这一特性，对于每一片，都有一个对应的区域，专门用于存放，将要写入到物理存储单元中去的或者刚从存储单元中读取出来的，一页的数据，这个数据缓存区，本质上就是一个buffer，但是只是名字叫法不同，datasheet里面叫做PageRegister，此处翻译为页寄存器，实际理解为页缓存，更为恰当些。
注意：
只有写到了这个页缓存中，只有等你发了对应的编程第二阶段的确认命令0x10之后，实际的编程动作才开始，才开始把页缓存中的数据，一点点写到物理存储单元中去。
所以，简单总结一下就是，对于数据的流向，实际是经过了如下步骤：
图4NandFlash读写时的数据流向
【NandFlash中的坏块（BadBlock）】
NandFlash中，一个块中含有1个或多个位是坏的，就成为其为坏块。
坏块的稳定性是无法保证的，也就是说，不能保证你写入的数据是对的，或者写入对了，读出来也不一定对的。
而正常的块，肯定是写入读出都是正常的。
坏块有两种：
（1）一种是出厂的时候，也就是，你买到的新的，还没用过的NandFlash，就可以包含了坏块。
此类出厂时就有的坏块，被称作factory（masked）badblock或initialbad/invalidblock，在出厂之前，就会做对应的标记，标为坏块。
具体标记的地方是，对于现在常见的页大小为2K的NandFlash，是块中第一个页的oob起始位置（关于什么是页和oob，下面会有详细解释）的第1个字节（旧的小页面，pagesize是512B甚至256B的nandflash，坏块标记是第6个字节），如果不是0xFF，就说明是坏块。
相对应的是，所有正常的块，好的块，里面所有数据都是0xFF的。
（2）第二类叫做在使用过程中产生的，由于使用过程时间长了，在擦块除的时候，出错了，说明此块坏了，也要在程序运行过程中，发现，并且标记成坏块的。
具体标记的位置，和上面一样。
这类块叫做worn-outbadblock。
对于坏块的管理，在Linux系统中，叫做坏块管理（BBM，BadBlockManagment），对应的会有一个表去记录好块，坏块的信息，以及坏块是出厂就有的，还是后来使用产生的，这个表叫做 坏块表（BBT，BadBlockTable）。
在Linux核MTD架构下的NandFlash驱动，和Uboot中NandFlash驱动中，在加载完驱动之后，如果你没有加入参数主动要求跳过坏块扫描的话，那么都会去主动扫描坏块，建立必要的BBT的，以备后面坏块管理所使用。
而关于好块和坏块，NandFlash在出厂的时候，会做出保证：
1.关于好的，可以使用的块的数目达到一定的数目，比如三星的K9G8G08U0M，整个flash一共有4096个块，出厂的时候，保证好的块至少大于3996个，也就是意思是，你新买到这个型号的nandflash，最坏的可能，有3096－3996＝100个坏块。
不过，事实上，现在出厂时的坏块，比较少，绝大多数，都是使用时间长了，在使用过程中出现的。
2.保证第一个块是好的，并且一般相对来说比较耐用。
做此保证的主要原因是，很多NandFlash坏块管理方法中，就是将第一个块，用来存储上面提到的BBT，否则，都是出错几率一样的块，那么也就不太好管理了，连放BBT的地方，都不好找了，^_^。
一般来说，不同型号的NandFlash的数据手册中，也会提到，自己的这个nandflash，最多允许多少个坏块。
就比如上面提到的，三星的K9G8G08U0M，最多有100个坏块。
对于坏块的标记，本质上，也只是对应的flash上的某些字节的数据是非0xFF而已，所以，只要是数据，就是可以读取和写入的。
也就意味着，可以写入其他值，也就把这个坏块标记信息破坏了。
对于出厂时的坏块，一般是不建议将标记好的信息擦除掉的。
uboot中有个命令是“nandscrub”就可以将块中所有的容都擦除了，包括坏块标记，不论是出厂时的，还是后来使用过程中出现而新标记的。
一般来说，不建议用这个。
不过，我倒是经常用，其实也没啥大碍，呵呵。
最好用“nanderase”只擦除好的块，对于已经标记坏块的块，不擦除。
【nandFlash中页的访问顺序】
在一个块，对每一个页进行编程的话，必须是顺序的，而不能是随机的。
比如，一个块中有128个页，那么你只能先对page0编程，再对page1编程，。
。
。
。
，而不能随机的，比如先对page3，再page1，page2.，page0，page4，.。
。
。
【片选无关（CEdon’t-care）技术】
很多Nandflash支持一个叫做CEdon’t-care的技术，字面意思就是，不关心是否片选，
那有人会问了，如果不片选，那还能对其操作吗？
答案就是，这个技术，主要用在当时是不需要选中芯片却还可以继续操作的这些情况：
在某些应用，比如录音，音频播放等应用，中，外部使用的微秒（us）级的时钟周期，此处假设是比较少的2us，在进行读取一页或者对页编程时，是对NandFlash操作，这样的串行（SerialAccess）访问的周期都是20/30/50ns，都是纳秒（ns）级的，此处假设是50ns，当你已经发了对应的读或写的命令之后，接下来只是需要NandFlash部去自己操作，将数据读取除了或写入进去到部的数据寄存器中而已，此处，如果可以把片选取消，CE#是低电平有效，取消片选就是拉高电平，这样会在下一个外部命令发送过来之前，即微秒量级的时间里面，即2us－50ns≈2us，这段时间的取消片选，可以降低很少的系统功耗，但是多次的操作，就可以在很大程度上降低整体的功耗了。
总结起来简单解释就是：
由于某些外部应用的频率比较低，而NandFlash部操作速度比较快，所以具体读写操作的大部分时间里面，都是在等待外部命令的输入，同时却选中芯片，产生了多余的功耗，此“不关心片选”技术，就是在NandFlash的部的相对快速的操作（读或写）完成之后，就取消片选，以节省系统功耗。
待下次外部命令/数据/地址输入来的时候，再选中芯片，即可正常继续操作了。
这样，整体上，就可以大大降低系统功耗了。
注:
NandFlash的片选与否，功耗差别会有很大。
如果数据没有记错的话，我之前遇到我们系统里面的nandflash的片选，大概有5个mA的电流输出呢，要知道，整个系统优化之后的待机功耗，也才10个mA左右的。
【带EDC的拷回操作以及Sector的定义（Copy-BackOperationwithEDC&SectorDefinitionforEDC）】
Copy-Back功能，简单的说就是，将一个页的数据，拷贝到另一个页。
如果没有Copy-Back功能，那么正常的做法就是，先要将那个页的数据拷贝出来放到存的数据buffer中，读出来之后，再
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