半导体器件物理

1、半导体器件物理软件设计报告软件设计报告 2011 2012 学年 第 二 学期课程名称半导体物理器件仿真实习时间2012.4.272012.5.13指导单位电子科学与工程学院指导教师 XXX学生姓名XX班级学号BXXXXXXXX学院系电子科。

2、半导体物理与器件基础知识9金属半导体与半导体异质结一肖特基势垒二极管欧姆接触:通过金属半导体的接触实现的连接.接触电阻很低.金属与半导体接触时,在未接触时,半导体的费米能级高于金属的费米能级,接触后,半导体的电子流向金属,使得金属的费米能级。

3、半导体器件物理,国家级精品课程半导体器件物理与实验,Physics of Semiconductor Devices,半导体器件物理课程简介,课程简介,国家级精品课程半导体器件物理与实验,半导体器件物理与实验,2005 年5月2005 年8。

4、现代半导体器件物理复习题半导体器件物理复习题1 简述 Schrodinger 波动方程的物理意义及求解边界条件.2 简述隧道效应的基本原理.3 什么是半导体的直接带隙和间接带隙.4 什么是 FermiDirac 概率函数和 Fermi 能级。

5、第八章 发光二极管和半导体激光器第八章 发光二极管和半导体激光器1907.Round发现电流通过硅检波器时有黄光发生1923.Lossev在碳化硅检波器中观察到类似现象1955.Braunstein首次在三五族化合物中观察到辐射复合1961。

6、1 雪崩击穿:加外部反向电压耗尽区中的载流子受到该区电场加速而不断增加能量,当能量达到足够大时,载流子与晶格碰撞时产生电子空穴对.新的电子空穴对又在电场作用下加速,与原子碰撞时再产生第三代电子空穴对.如此继续,产生大量导电载流子,电流迅速上。

7、常州信息职业技术学院 2010 2011 学年第 一 学期半导体器件物理课程期末试卷班级 姓名 学号 成绩装订线项目一二三四五总分满分100得分一 选择题:含多项选择, 共30分,每空1分,错选漏选多选均不得分1半导体硅材料的晶格结构是 A。

8、半导体器件物理复习重点第一章 PN结1.1 PN结是怎么形成的耗尽区:正因为空间电荷区不存在任何可动的电荷,所以该区也称为耗尽区.空间电荷边缘存在多子浓度梯度,多数载流子便受到了一个扩散力.在热平衡状态下,电场力与扩散力相互平衡.p型半导体。

9、半导体器件物理复习施敏第一章1费米能级和准费米能级费米能级:不是一个真正的能级,是衡量能级被电子占据的几率的大小的一个标准,具有决定整个系统能量以及载流子分布的重要作用.准费米能级:是在非平衡状态下的费米能级,对于非平衡半导体,导带和价带间。

10、整理半导体器件物理复习纲领第一章1试画出金属及半导体相对真空能级的能带图,并标出有关电势符号加以说明2当金属半导体紧密接触以后,如何建立统一的费米能级Ef 说明bms的物理意义是什么3说明公式qsqsqEcEf的物理意义4什么是肖特基势垒写。

11、第三章 半导体的表面特性,第3章 半导体的表面特性,本章要点,半导体的表面与SiSiO2系统的特性表面空间电荷区的状态和表面势的概念MOS结构的阈值电压和MOS结构的应用MOS结构的CV特性金属与半导体接触肖特基势垒二极管SBD,3.1 。

12、现代半导体器件物理,第一章 简介,Physics of Modern Semiconductor Devices,课程概况,课程名:现代半导体器件物理学时:32 时间:秋季学期521周授课方式:讲授自学课后作业小型科技论文考核比例:总分10。

13、半导体物理与器件物理Semiconductor Physics and Device Physics,2011.4,主要教材:半导体物理学,刘恩科,朱秉升,罗晋生,电子工业出版社,2008年11月第7版 半导体器件物理与工艺,施敏著,赵鹤鸣。

14、半导体器件物理复习纲领第一章1试画出金属及半导体相对真空能级的能带图,并标出有关电势符号加以说明2当金属半导体紧密接触以后,如何建立统一的费米能级Ef 说明bms的物理意义是什么3说明公式qsqsqEcEf的物理意义4什么是肖特基势垒写出其。

15、项目 一 二 三 四 五 总分 满分 100 得分 一选择题:含多项选择,选择题:含多项选择,共共 30 分,每空分,每空 1 分分,错选漏选多选,错选漏选多选均不得分均不得分1半导体硅材料的晶格结构是A A 金刚石 B 闪锌矿 C 纤锌矿。

16、 1半导体器件物理半导体器件物理2008 试卷试卷A标准答案标准答案 一填空题共一填空题共 34 分:分:1PN 结击穿的机制主要有 雪崩击穿,齐纳击穿 和 热击穿 等三种.2当金属与半导体接触时,若二者的接触有整流作用,则叫 整流接触,反。