06集成电路版图基础-电容PPT资料.ppt

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电容和电感,电容,电容器:

@#@存储电荷的器件。

@#@单位：

@#@法拉（F）片上电容在fF-pF量级,两块导电材料中间存在绝缘介质就会形成电容,平行板电容器,电容作用,滤波隔直流通交流,二、MOS集成电路中的电容器,平板电容器的电容表示式：

@#@C=oox/toxWL=C0WLo、ox、tox由材料性质以及绝缘层的厚度决定，绝缘层越薄单位电容越大。

@#@式中W和L是平板电容器的宽度和长度，二者的乘积即为电容器的面积。

@#@,1、MIM电容,下极板,上极板,MIM,（金属-绝缘层-金属电容）,2、PMOS电容,3PIP电容,多晶-绝缘层-多晶电容,4叠层电容器MOM利用metal1或第二层多晶硅覆盖在第一层多晶硅之上形成第三层极板，增大电容值。

@#@,5金属-多晶硅-扩散区电容,叠层电容器MOM,3、电容值误差边缘电容,理想平板电容器的电场线是直线，但实际情况下，在靠近边缘地方的会发生弯曲，越靠近边缘，弯曲越严重。

@#@称为极板边缘效应。

@#@极板边缘处的电场分布不均匀，造成电容的边缘效应，这相当于在电容里并联了一个附加电容。

@#@,由于集成电路中电容器上下极板交错分布，面积不等，极板边缘效应更加明显为了减小边缘电容的影响，版图设计中尽量不拆分电容,电容计算,交叠电容边缘电容,电感,电感,V=LI/t集成电路中电感只有几个nH，低于100MHz，没什么用处，低频模拟电路不使用电感，用于GHz的射频电路中。

@#@键合线电感直径25um，长度1mm，圆环直径1mm的电感值为5.6nH。

@#@,集成电路中采用平面电感圆形、八边形和方形,螺旋电感键合线电感,电感寄生效应,涡流，电感产生的交变电磁场在附近的导体中产生循环电流，这些涡流会消耗磁场能量。

@#@用串联的电阻描述，采用轻掺杂硅衬底，可以减小损耗，磁场可以深入硅数um，,电感模型,RS电感寄生电阻，趋肤效应，寄生电阻增大衬底电阻,电感Q值,与频率相关，一般Q值随频率增加，衬底电阻,电感设计,1使用高电阻率衬底2采用最高金属层制作3可以使用多层金属并联4未使用的金属原理电感5避免金属线过宽或过窄10-15um6尽可能窄的线圈间距7线圈内部不要填满8不要在电感上下增加金属，如增加可分成小块9连接线短而直,