第一章功率半导体器件Word文档下载推荐.docx
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功率半导体器件可按可控性、驱动信号类型来进行分类。
1．按可控性分类
根据能被驱动（触发）电路输出控制信号所控制的程度，可将功率半导体器件分为不控型器件、半控型器件、全控型器件等3种。
（1）不控型器件
不能用控制信号来控制开通、关断的功率半导体器件。
（2）半控型器件
能利用控制信号控制其导通，但不能控制其关断的功率半导体器件称为半控型器件。
（3）全控型器件
能利用控制信号控制其导通，也能控制其关断的功率半导体器件称为全控型器件，通常也称为自关断器件。
2．按驱动信号类型分类
（1）电流驱动型
通过在控制端注入或抽出电流来实现开通或关断的器件称为电流驱动型功率半导体器件。
GTO、GTR为电流驱动型功率半导体器件。
（2）电压驱动型
通过在控制端和另一公共得端加入一定的电压信号来实现开通或关断的器件称为电压驱动型功率半导体器件。
P-MOSFET、IGBT为电压驱动型功率半导体器件。
1.2大功率二极管
1.2.1大功率二极管的结构
大功率二极管的内部结构是一个具有Ｐ型及Ｎ型两层半导体、一个PN结和阳极A、阴极K的两层两端半导体器件，其符号表示如图1-2a）所示。
a）符号b）螺旋式c）平板式
图1-2大功率二极管
从外部构成看，也分成管芯和散热器两部分。
这是由于二极管工作时管芯中要通过强大的电流，而PN结又有一定的正向电阻，管芯要因损耗而发热。
为了管芯的冷却，必须配备散热器。
一般情况下，200A以下的管芯采用螺旋式（图1-2b）），200A以上则采用平板式（图1-2c））。
1.2.2大功率二极管的特性
1．大功率二极管的伏安特性
二极管阳极和阴极间的电压Uak与阳极电流ia间的关系称为伏安特性，如图1-3所示。
第Ⅰ象限为正向特性区，表现为正向导通状态。
第Ⅲ象限为反向特性区，表现为反向阻断状态。
a）实际特性b）理想特性
图1-3大功率二极管的伏安特性
2．大功率二极管的开通、关断特性
大功率二极管具有延迟导通和延迟关断的特征，关断时会出现瞬时反向电流和瞬时反向过电压。
（1）大功率二极管的开通过程
大功率二极管的开通需一定的过程，初期出现较高的瞬态压降，过一段时间后才达到稳定，且导通压降很小。
图1-4为大功率二极管开通过程中的管压降uD和正向电流iD的变化曲线。
由图可见，在正向恢复时间tfr内，正在开通的大功率二极管上承受的峰值电压UDM比稳态管压降高的多，在有些二极管中的峰值电压可达几十伏。
图1-4大功率二极管的开通过程图1-5大功率二极管的关断过程
（2）大功率二极管的关断过程
图1-5为大功率二极管关断过程电压、电流波形。
大功率二极管应用在低频整流电路时可不考虑其动态过程，但在高频逆变器、高频整流器、缓冲电路等频率较高的电力电子电路中就要考虑大功率二极管的开通、关断等动态过程。
1.2.3大功率二极管的主要参数
1、额定正向平均电流（额定电流）IF
指在规定＋40℃的环境温度和标准散热条件下，元件结温达额定且稳定时，容许长时间连续流过工频正弦半波电流的平均值。
将此电流整化到等于或小于规定的电流等级，则为该二极管的额定电流。
在选用大功率二极管时，应按元件允许通过的电流有效值来选取。
对应额定电流IF的有效值为1.57IF。
2、反向重复峰值电压（额定电压）ＵRRM
在额定结温条件下，元件反向伏安特性曲线（第Ⅲ象限）急剧拐弯处于所对应的反向峰值电压称为反向不重复峰值电压URSM。
反向不重复峰值电压值的80％称为反向重复峰值电压URRM。
再将URRM整化到等于或小于该值的电压等级，即为元件的额定电压。
3、反向漏电流IRR
对应于反向重复峰值电压URRM下的平均漏电流称为反向重复平均电流IRR。
4、正向平均电压UF
在规定的＋40℃环境温度和标准的散热条件下，元件通以工频正弦半波额定正向平均电流时，元件阳、阴极间电压的平均值，有时亦称为管压降。
元件发热与损耗与UF有关，一般应选用管压降小的元件以降低元件的导通损耗。
5、大功率二极管的型号
普通型大功率二极管型号用ZP表示，其中Z代表整流特性，P为普通型。
普通型大功率二极管型号可表示如下
ZP[电流等级]—[电压等级/100][通态平均电压组别]
如型号为ZP50—16的大功率二极管表示：
普通型大功率二极管，额定电流为50A，额定电压为1600V。
1.3晶闸管（SCR）
1.3.1晶闸管的结构
晶闸管是大功率的半导体器件，从总体结构上看，可区分为管芯及散热器两大部分，分别如图1-6及图1-7所示。
a）螺栓型b）平板型c）符号
图1-6晶闸管管芯及电路符号表示
管芯是晶闸管的本体部分，由半导体材料构成，具有三个与外电路可以连接的电极：
阳极Ａ，阴极Ｋ和门极（或称控制极）Ｇ，其电路图中符号表示如图1-6c）所示。
散热器则是为了将管芯在工作时由损耗产生的热量带走而设置的冷却器。
按照晶闸管管芯与散热器间的安装方式，晶闸管可分为螺栓型与平板型两种。
螺栓型（图1-6a））依靠螺栓将管芯与散热器紧密连接在一起，并靠相互接触的一个面传递热量。
\
a）自冷b）风冷c）水冷
图1-7晶闸管的散热器
晶闸管管芯的内部结构如图1-3所示，是一个四层（P1—N1—P2—N2）三端（A、K、G）的功率半导体器件。
它是在N型的硅基片（N1）的两边扩散Ｐ型半导体杂质层（P1、P2），形成了两个PN结J1、J2。
再在P2层内扩散Ｎ型半导体杂质层N2又形成另一个PN结J3。
然后在相应位置放置钼片作电极，引出阳极A，阴极K及门极G，形成了一个四层三端的大功率电子元件。
这个四层半导体器件由于有三个PN结的存在，决定了它的可控导通特性。
图1-8晶闸管管芯结构原理图
1.3.2晶闸管的工作原理
通过理论分析和实验验证表明：
1）只有当晶闸管同时承受正向阳极电压和正向门极电压时晶闸管才能导通，两者不可缺一。
2）晶闸管一旦导通后门极将失去控制作用，门极电压对管子随后的导通或关断均不起作用，故使晶闸管导通的门极电压不必是一个持续的直流电压，只要是一个具有一定宽度的正向脉冲电压即可，脉冲的宽度与晶闸管的开通特性及负载性质有关。
这个脉冲常称之为触发脉冲。
3）要使已导通的晶闸管关断，必须使阳极电流降低到某一数值之下（约几十毫安）。
这可以通过增大负载电阻，降低阳极电压至接近于零或施加反向阳极电压来实现。
这个能保持晶闸管导通的最小电流称为维持电流，是晶闸管的一个重要参数。
晶闸管为什么会有以上导通和关断的特性，这与晶闸管内部发生的物理过程有关。
晶闸管是一个具有P1—N1—P2—N2四层半导体的器件，内部形成有三个PN结J1、J2、J3，晶闸管承受正向阳极电压时，其中J1、J3承受反向阻断电压，J2承受正向阻断电压。
这三个PN结的功能可以看作是一个PNP型三极管VT1（P1—N1—P2）和一个NPN型三极管VT2（N1—P2—N2）构成的复合作用，如图1-9所示。
图1-9晶闸管的等效复合三极管效应
可以看出，两个晶体管连接的特点是一个晶体管的集电极电流就是另一个晶体管的基极电流，当有足够的门极电流Ig流入时，两个相互复合的晶体管电路就会形成强烈的正反馈，导致两个晶体管饱和导通，也即晶闸管的导通。
如果晶闸管承受的是反向阳极电压，由于等效晶体管VT1、VT2均处于反压状态，无论有无门极电流Ig，晶闸管都不能导通。
1.3.3晶闸管的基本特性
1．静态特性
静态特性又称伏安特性，指的是器件端电压与电流的关系。
这里介绍阳极伏安特性和门极伏安特性。
（1）阳极伏安特性
晶闸管的阳极伏安特性表示晶闸管阳极与阴极之间的电压Uak与阳极电流ia之间的关系曲线，如图1-10所示。
图1-10晶闸管阳极伏安特性
①正向阻断高阻区；
②负阻区；
③正向导通低阻区；
④反向阻断高阻区
阳极伏安特性可以划分为两个区域：
第Ⅰ象限为正向特性区，第Ⅲ象限为反向特性区。
第Ⅰ象限的正向特性又可分为正向阻断状态及正向导通状态。
（2）门极伏安特性
晶闸管的门极与阴极间存在着一个PN结J3，门极伏安特性就是指这个PN结上正向门极电压Ug与门极电流Ig间的关系。
由于这个结的伏安特性很分散，无法找到一条典型的代表曲线，只能用一条极限高阻门极特性和一条极限低阻门极特性之间的一片区域来代表所有元件的门极伏安特性，如图1-11阴影区域所示。
图1-11晶闸管门极伏安特性
2．动态特性
晶闸管常应用于低频的相控电力电子电路时，有时也在高频电力电子电路中得到应用，如逆变器等。
在高频电路应用时，需要严格地考虑晶闸管的开关特性，即开通特性和关断特性。
（1）开通特性
晶闸管由截止转为导通的过程为开通过程。
图1-12给出了晶闸管的开关特性。
在晶闸管处在正向阻断的条件下突加门极触发电流，由于晶闸管内部正反馈过程及外电路电感的影响，阳极电流的增长需要一定的时间。
从突加门极电流时刻到阳极电流上升到稳定值IT的10%所需的时间称为延迟时间td，而阳极电流从10%IT上升到90%IT所需的时间称为上升时间tr，延迟时间与上升时间之和为晶闸管的开通时间
tgt=td+tr，普通晶闸管的延迟时间为0.5～1.5μs，上升时间为0.5～3μs。
延迟时间随门极电流的增大而减少，延迟时间和上升时间随阳极电压上升而下降。
图1-12晶闸管的开关特性
（2）关断特性
通常采用外加反压的方法将已导通的晶闸管关断。
反压可利用电源、负载和辅助换流电路来提供。
要关断已导通的晶闸管，通常给晶闸管加反向阳极电压。
晶闸管的关断，就是要使各层区内载流子消失，使元件对正向阳极电压恢复阻断能力。
突加反向阳极电压后，由于外电路电感的存在，晶闸管阳极电流的下降会有一个过程，当阳极电流过零，也会出现反向恢复电流，反向电流达最大值IRM后，再朝反方向快速衰减接近于零，此时晶闸管恢复对反向电压的阻断能力。
1.3.4晶闸管的主要参数
要正确使用一个晶闸管，除了了解晶闸管的静态、动态特性外，还必须定量地掌握晶闸管的一些主要参数。
现对经常使用的几个晶闸管的参数作一介绍。
1．电压参数
（1）断态重复峰值电压UDRM
门极开路，元件额定结温时，从晶闸管阳极伏安特性正向阻断高阻区（图1-10中的曲线①）漏电流急剧增长的拐弯处所决定的电压称断态不重复峰值电压UDSM，“不重复”表明这个电压不可长期重复施加。
取断态不重复峰值电压的90％定义为断态重复峰值电压UDRM，“重复”表示这个电压可以以每秒50次，每次持续时间不大于10ms的重复方式施加于元件上。
（2）反向重复峰值电压URRM
门极开路，元件额定结温时，从晶闸管阳极伏安特性反向阻断高阻区（图1-10中曲线④）反向漏电流急剧增长的拐弯处所决定的的电压称为反向不重复峰值电压URSM，这个电压是不能长期重复施加的。
取反向不重复峰值电压的90％定义为反向重复峰值电压URRM，这个电压允许重复施加。
（3）晶闸管的额定电压UR
取UDRM和URRM中较小的一个，并整化至等于或小于该值的规定电压等级上。
电压等级不是任意决定的，额定电压在1000Ｖ以下是每100Ｖ一个电压等级，1000Ｖ至3000Ｖ则是每200Ｖ一个电压等级。
由于晶闸管工作中可能会遭受到一些意想不到的瞬时过电压，为了确保管子安全运行，在选用晶闸管时应使其额定电压为正常工作电压峰值UM的2~3倍，以作安全余量。
UR=（2~3）UM（1-4）
（4）通态平均电压UT（AV）
指在晶闸管通过单相工频正弦半波电流，额定结温、额定平均电流下，晶闸管阳极与阴极间电压的平均值，也称之为管压降。
在晶闸管型号中，常按通态平均电压的数值进行分组，以大写英文字母A～I表示。
通态平均电压影响元件的损耗与发热，应该选用管压降小的元件来使用。
2．电流参数
（1）通态平均电流IT（AV）
在环境温度为＋40℃、规定的冷却条件下，晶闸管元件在电阻性负载的单相、工频、正弦半波、导通角不小于170°
的电路中，当结温稳定在额定值125℃时所允许的通态时的最大平均电流称为额定通态平均电流IT（AV）。
选用晶闸管时应根据有效电流相等的原则来确定晶闸管的额定电流。
由于晶闸管的过载能力小，为保证安全可靠工作，所选用晶闸管的额定电流IT（AV）应使其对应有效值电流为实际流过电流有效值的1.5～2倍。
按晶闸管额定电流的定义，一个额定电流为100A的晶闸管，其允许通过的电流有效值为157A。
晶闸管额定电流的选择可按下式计算。
（1-5）
（2）维持电流IH
维持电流是指晶闸管维持导通所必需的最小电流，一般为几十到几百毫安。
维持电流与结温有关，结温越高，维持电流越小，晶闸管越难关断。
（3）掣住电流IL
晶闸管刚从阻断状态转变为导通状态并撤除门极触发信号，此时要维持元件导通所需的最小阳极电流称为掣住电流。
一般掣住电流比维持电流大（2～4）倍。
3．晶闸管的型号
普通型晶闸管型号可表示如下
KP[电流等级]—[电压等级/100][通态平均电压组别]
其中其中K代表闸流特性，P为普通型。
如KP500—15型号的晶闸管表示其通态平均电流（额定电流）IT（AV）为500A，正反向重复峰值电压（额定电压）UR为1500V，通态平均电压组别以英文字母标出，小容量的元件可不标。
1.4大功率晶体管（GTR）
1.4.1结构
从工作原理和基本特性上看，大功率晶体管与普通晶体管并无本质上的差别，但它们在在工作特性的侧重面上有较大的差别。
对于普通晶体管，所被注重的特性参数为电流放大倍数、线性度、频率响应、噪声、温漂等；
而对于大功率晶体管，重要参数是击穿电压、最大允许功耗、开关速度等。
为了承受高压大电流、大功率晶体管不仅尺寸要随容量的增加而加大，其内部结构、外形也需作相应的变化。
a）普通晶体管结构b）GTR结构c）符号
图1-19GTR的结构与符号
普通晶体管的结构已在模拟电子技术中作过专门介绍，它是由两个PN结相间而成。
图1-19a）为NPN型普通晶体管的结构示意图。
图1-19b）为GTR的结构原理图，一个GTR芯片包含大量的并联晶体管单元，这些晶体管单元共用一个大面积集电极，而发射极和基极则被化整为零。
这种结构可以有效解决所谓的发射极电流聚边现象。
图1-19c）为GTR的标识符号，与普通晶体管完全相同。
1.4.2工作特性
GTR的静态特性可分为输入特性和输出特性：
（1）输入特性
输入特性如图1-20a）所示，它表示UCE一定时，基极电流IB与基极—发射极UBE之间的函数关系，它与二极管PN结的正向伏安特性相似。
当UCE增大时，输入特性右移。
一般情况下，GTR的正向偏压UBE大约为1V。
a）输入特性b）输出特性
图1-20GTR的输入、输出特性
（2）输出特性
大功率晶体管运行时常采用共射极接法，共射极电路的输出特性是指集电极电流IC和集电极—发射极电压UCE的函数关系，如图1-20b）所示。
由图中可以看出，GTR的工作状态可以分成四个区域：
截止区（也称阻断区）、线性放大区、准饱和区和饱和区（也称深饱和区）。
截止区对应于基极电流IB等于零的情况，在该区域中，GTR承受高电压，仅有很小的漏电流存在，相当于开关处于断态的情况。
该区的特点是发射结和集电结均为反向偏置。
在线性放大区中，集电极电流与基极电流呈线性关系，特性曲线近似平直。
该区的特点是集电结反向偏置、发射结正向偏置。
对工作于开关状态的GTR来说，应当尽量避免工作于线性放大区，否则由于工作在高电压大电流下，功耗会很大。
准饱和区是指线性放大区和饱和区之间的区域，正是输出特性中明显弯曲的部分。
在此区域中，随着基区电流的增加，开始出现基区宽调制效应，电流增益开始下降，集电极电流与基区电流之间不再呈线性关系，但仍保持着发射结正偏、集电极反偏。
而在饱和区中，在基极电流变化时，集电极电流却不再随之变化。
此时，该区域的电流增益与导通电压均很小，相当于处于通态的开关。
此区的特点是发射结和集电结均处于正向偏置状态。
GTR主要工作在截止区及饱和区，切换过程中快速通过放大区，这个开关过程即反映了GTR的动态特性。
当在GTR基极施以脉冲驱动信号时，GTR将工作在开关状态，如图1-21所示。
在t0时刻加入正向基极电流，GTR经延迟和上升阶段后达到饱和区，故开通时间ton为延迟时间td与上升时间tr之和，其中td是由基极与发射极间结电容Cbe充电而引起，tr是由基区电荷储存需要一定时间而造成的。
当反向基极电流信号加到基极时，GTR经存储和下降阶段才返回载止区，则关断时间toff为存储时间ts与下降时间tf之和，其中ts是除去基区超量储存电荷过程引起的，tf是基极与发射极间结电容Cbe放电而产生的结果。
在实际应用时，增大驱动电流，可使td和tr都减小，但电流也不能太大，否则将增大存储时间。
在关断GTR时，加反向基极电压可加快电容上电荷的释放，从而减少ts与tf，但基极电压不能太大，以免使发射结击穿。
为提高GTR的开关速度，可选用结电容比较小的快速开关晶体管，也可利用加速电容来改善GTR的开关特性。
在GTR基极电路电阻Rb两端并联一电容Cs，利用换流瞬间其上电压不能突变的特性可改善晶体管的开关特性。
图1-21GTR动态等值电路及开关特性
1.4.3主要参数
1．电压参数
（1）集电极额定电压UCEM
加在GTR上的电压如超过规定值时，会出现电压击穿现象。
击穿电压与GTR本身特性及外电路的接法有关。
各种不同接法时的击穿电压的关系如下
BUCBO＞BUCEX＞BUCES＞BUCER＞BUCEO
其中，BUCBO为发射极开路，集电极与基极间的反向击穿电压；
BUCEX为发射极反向偏置时集电极与发射极间的击穿电压；
BUCES、BUCER分别为发射极与基极间用电阻联接或短路连接时集电极和发射极间的击穿电压；
BUCEO为基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。
GTR的最高工作电压UCEM应比最小击穿BUCEO低，从而保证元件工作安全。
（2）饱和压降UCES
单个GTR的饱和压降一般不超过1～1.5V，UCES随集电极电流ICM的增大而增大。
2．电流参数
（1）连续（直流）额定（集电极）电流IC
连续（直流）额定电流指只要保证结温不超过允许的最大结温、晶体管所允许连续通过的直流电流值。
（2）集电极额定电流（最大允许电流）ICM
集电极额定电流是取决于最高允许结温下引线、硅片等的破坏电流，超过这一额定值必将导致晶体管内部结构件的烧毁。
在实际使用中可以利用热容量效应，根据占空比来增大连续电流，但不能超过峰值额定电流。
（3）基极电流最大允许值IBM
基极电流最大允许值比集电极额定电流的数值要小得多，通常IBM=（1/2~1/10）ICM，而基极—发射极间的最大电压额定值通常只有几伏。
（4）集电极最大耗散功率PCM
集电极最大耗散功率是指最高工作温度下允许的耗散功率。
它受结温的限制，由集电极工作电压和电流的乘积所决定。
1.4.4二次击穿现象与安全工作区
1．二次击穿现象
二次击穿是GTR突然损坏的主要原因之一，成为影响其安全可靠使用的一个重要因素。
二次击穿现象可以用图1-22来说明。
当集电极电压UCE增大到集射极间的击穿电压UCEO时，集电极电流iC将急剧增大，出现击穿现象，如图1-22a）的AB段所示。
这是首次出现正常性质的雪崩现象，称为一次击穿，一般不会损坏GTR器件。
一次击穿后如继续增大外加电压UCE，电流iC将持续增长。
当达到图示的C点时仍继续让GTR工作时，由于UCE高，将产生相当大的能量，使集电结局部过热。
当过热持续时间超过一定程度时，UCE会急剧下降至某一低电压值，如果没有限流措施，则将进入低电压、大电流的负阻区CD段，电流增长直至元件烧毁。
这种向低电压大电流状态的跃变称为二次击穿，C点为二次击穿的临界点。
所以二次击穿是在极短的时间内（纳秒至微秒级），能量在半导体处局部集中，形成热斑点，导致热电击穿的过程。
a）b）
图1-22GTR的二次击穿现象
二次击穿在基极正偏（IB＞0）、反偏（IB＜0）及基极开路的零偏
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