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SU8胶光刻工艺解读

UV-LIGA

编制单位:

编制人:

编制日期:

华中科技大学MEMS中心徐智谋何少伟2004.10工艺技术规范

UV-LIGA工艺规范

一工艺路线及工艺流

程3

1.1工艺路

线3

1.2工艺流

程3

1.2.1SU-8胶光刻工艺3

1.2.2Polydimethysiloxane(PDMS)浇铸成模4

1.2.3PDMS表面金属化4

1.2.4在PDMS样品上电铸微模具4

二试验平

台5

三试验样

品6

3.1SU-8胶结

构7

3.2PDMS表面金属

化8

一工艺路线及工艺流程

1.1工艺路线

微塑铸

 

 

 

 

光刻

 

1.2工艺流程

1.2.1SU-8胶光刻工艺

1)对衬底进行清洗,并在200r烘30分钟以上以去除表面水分子;

2)用厚胶甩胶工艺在基片表面旋涂所需要厚度的SU-8胶;

3)利用热板对SU-8胶进行前烘处理,在热板上缓慢冷却;

4)在KarlSussMA6紫外光刻机上进行接触式曝光;

5)对曝光后的SU-8胶在热板上进行后烘热处理,得到交联的SU-8胶结构;注:

由于交联的SU-8胶结构内应力很大,可以导致基底弯曲变形和胶的开裂•

所以加热必须缓慢,冷却应在热板上随热板冷却到室温。

6)超声显影,得到光刻胶图形。

7)将SU-8胶微结构在150C-200E下在热板上进行固化.

不同厚度SU8光刻工艺参数

厚度[何]

光刻胶

甩胶速率[rpm]

前烘时间[min]65C

95C

曝光时间[sec]

后烘时间[min]65C

95C

显影时间[min]固化时间[min]

1.2.2Polydimethysiloxane(PDMS)浇铸成模

1)将衬底有SU-8光刻图形模具固定在真空热压机上,底部放上待模压的PDMS;

2)关闭模腔并抽真空,将图形压入PDMS,升温至120C,保持60s;

3)降温至40C,让模腔充气,打开模腔,取出SU-8+PDMS样品并从SU-8图形上脱下PDMS图形.

1.2.3PDMS表面金属化

1)清洗PDMS样品图形表面并做溅射前的处理;

2)将PDMS样品放入溅射机的真空腔并抽真空到合适的镀膜真空度;3)在PDMS

样品表面溅射100nm钛+300nm镍;

4)真空腔充气,打开真空腔,取出表面金属化的PDMS样品.

1.2.4在PDMS样品上电铸微模具

1)将氨基磺酸镍作为主盐,PH值3.5-4,溶液温度升到40C吃C,循环过滤(小于0.4微米)以控制电铸槽的旋浮颗粒大小;2)将PDMS样品放入电铸槽中;

3)加1000HZ,占空比1:

10,电流密度2A/cm2的脉冲电源;4)根据不同的高度,电铸不同的时间;

5)取出电铸后的PDMS样品,并将它烘干;

6)在氧等离子体气氛下去除PDMS;

7)在显微镜下对电铸的微结构进行检查,以确定最终的产品是否是成品.

试验平台

光刻机:

德国KarlSuss公司MA6(见图)

可进行正面和反面对准曝光,最小线宽:

2^m,对准精度:

1pm

甩胶台:

美国AIOMICROSERVICE公司(见图)

4英寸厚胶甩胶台。

可进行甩胶,前烘,显影及后烘

微电铸槽:

美国RENOLDSTECH公司(见图)

真空热压机:

自制(见图)

磁控溅射镀膜机:

成都真空机械厂JS550-S/3型等离子去胶机:

中国电子科技集团公司第十三研究所DQ-500

表面轮廓仪:

美国Veeco公司Dektak6M

扫描电镜:

FET公司TecnaiG220

三试验样品

3.1SU-8胶结构

rrf〔〔

圆棒直径20um,高163.2um,深宽比为8.16

(A)线宽5卩m高280叩,深宽比为56

(B)线宽10卩m高350^m,咼宽比为35

(A)线宽13,高160,深宽比为

FESEVEnr«imirv«km34

ILE&巧?

5I-{14BMH祁Zi■雀"加Th«ir14

12;

(B)线宽16,高360,深宽比为22

 

胶高371um

⑴线宽53.85um,深宽比为6.9;

(2)线宽42.3um,深宽比为8.8;

⑶线宽23.08um,深宽比为16.1;⑷线宽11.5um,深宽比为32.2

(A)线宽20um,高163.2um深宽比为8.16;(B)线宽10um,高163.2um深宽比为

16.32

3.2PDMS表面金属化

PDMS表面溅射纳米级NiCr薄膜的AFM照片

[pm]

 

1:

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电镀金属Ni的SEM照片(a)表面,(b)截面

 

3.3实物样图微流体芯片

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