Ａ大于 Ｂ等于 Ｃ小于
12．实际生产中，制作欧姆接触最常用的方法是（A）
Ａ重掺杂的半导体与金属接触Ｂ轻掺杂的半导体与金属接触
13．在下列平面扩散型双极晶体管击穿电压中数值最小的是（C）
ABVCEOBBVCBOCBVEBO
14．MIS结构半导体表面出现强反型的临界条件是（B）。
（VS为半导体表面电势；qVB=Ei-EF）
AVS=VBBVS=2VBCVS=0
15．晶体管中复合与基区厚薄有关，基区越厚，复合越多，因此基区应做得
（C）
A．较厚B．较薄C．很薄
16．pn结反偏状态下，空间电荷层的宽度随外加电压数值增加而（A）。
A．展宽B．变窄C．不变
17．在开关器件及与之相关的电路制造中，（C）已作为缩短少数载流子寿命的有效手段。
A钝化工艺B退火工艺C掺金工艺
18．在二极管中，外加反向电压超过某一数值后，反向电流突然增大，这个电压叫（B）。
A饱和电压B击穿电压C开启电压
19．真空能级和费米能级的能值差称为（A）
A功函数B亲和能C电离电势
20．平面扩散型双极晶体管中掺杂浓度最高的是（A）
A发射区B基区C集电区
21．栅电压为零，沟道不存在，加上一个负电压才能形成P沟道，该MOSFET为（A）
AP沟道增强型BP沟道耗尽型CN沟道增强型DN沟道耗尽型
二、判断题（共20分，每题１分）
１．（√）半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。
２．（√）半导体中的电子浓度越大，则空穴浓度越小。
３．（×）半导体中载流子低温下发生的散射主要是晶格振动的散射。
４．（×）杂质半导体的电阻率随着温度的增加而下降。
５．（√）半导体中杂质越多，晶格缺陷越多，非平衡载流子的寿命就越短。
６．（√）非简并半导体处于热平衡状态的判据是n0p0=ni2。
７．（√）MOSFET只有一种载流子（电子或空穴）传输电流。
８．（√）反向电流和击穿电压是表征晶体管性能的主要参数。
９．（×）同一种材料中，电子和空穴的迁移率是相同的。
１０．（√）MOS型的集成电路是当今集成电路的主流产品。
１１．（√）平衡PN结中费米能级处处相等。
１２．（√）能够产生隧道效应的PN结二极管通常结的两边掺杂都很重，杂质分布很陡。
１３．（√）位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期而位移一段距离。
１４．（√）在某些气体中退火可以降低硅-二氧化硅系统的固态电荷和界面态。
１５．（√）高频下，pn结失去整流特性的因素是pn结电容
１６．（×）pn结的雪崩击穿电压主要取决于高掺杂一侧的杂质浓度。
１７．（√）要提高双极晶体管的直流电流放大系数α、β值，就必须提高发射结的注入系数和基区输运系数。
１８．（√）二氧化硅层中对器件稳定性影响最大的可动离子是钠离子。
１９．（×）制造MOS器件常常选用[111]晶向的硅单晶。
２０．（√）场效应晶体管的源极和漏极可以互换，但双极型晶体管的发射极和集电极是不可以互换的。
三、名词解释（共15分，每题5分，给出关键词得3分）
1．雪崩击穿
随着PN外加反向电压不断增大，空间电荷区的电场不断增强，当超过某临界值时，载流子受电场加速获得很高的动能，与晶格点阵原子发生碰撞使之电离，产生新的电子—空穴对，再被电场加速，再产生更多的电子—空穴对，载流子数目在空间电荷区发生倍增，犹如雪崩一般，反向电流迅速增大，这种现象称之为雪崩击穿。
2．非平衡载流子
由于外界原因，迫使半导体处于与热平衡状态相偏离的状态，称为非平衡状态，其载流子浓度可以比平衡状态时多出了一部分，比平衡时多出了的这部分载流子称为非平衡载流子。
3．共有化运动
当原子相互接近形成晶体时，不同原子的内外各电子壳层之间就有了一定程度的交叠，相邻原子最外层交叠最多，内壳层交叠较少。
原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原子转移到相邻的原子上去，因而，电子将可以在整个晶体中运动，这种运动称为电子的共有化运动。
四、问答题（22分）
1．简述肖特基二极管的优缺点。
（6分，每小点1分）
优点：
（1）正向压降低
（2）温度系数小
（3）工作频率高。
（4）噪声系数小
缺点：
（1）反向漏电流较大
（2）耐压低
2．MIS结构中，以金属—绝缘体—P型半导体为例，半导体表面在什么情况下成为积累层？
什么情况下出现耗尽层和反型层？
（6分，每小点2分）
积累状态：
当金属与半导体之间加负电压时，表面势为负值，表面处能带向上弯曲，表面层内就会出现空穴的堆积。
（2分）
耗尽状态：
当金属与半导体之间加正电压时，表面势为正值，表面处能带向下弯曲，表面处的空穴浓度较体内的低得多，这种状态就叫做耗尽状态。
（2分）
反型状态：
当正电压进一步增加时，能带进一步向下弯曲，使表面处的费米能级高于中央能级Ei，这意味着表面的电子浓度将超过空穴浓度，形成反型层。
（2分）
3．如何加电压才能使NPN晶体管起放大作用。
请画出平衡时和放大工作时的能带图。
（10分，回答4分，其中每一点各2分；图6分，其中无偏压能带2分，加偏压能带2分，标注势垒高度2分）
答：
要使NPN晶体管起放大作用，发射结要加正向偏压（2分），集电结反向偏压。
（2分）
放大工作时的能带图如下：
五、计算题（共13分，其中第一小题5分，第二小题5分，第三小题3分）
1.计算
（1）掺入ND为1×1015个/cm3的施主硅，在室温（300K）时的电子n0和空穴浓度p0，其中本征载流子浓度ni=2×1010个/cm3。
（2）如果在
（1）中掺入NA=5×1014个/cm3的受主，那么电子n0和空穴浓度p0分别为多少？
（3）若在
（1）中掺入NA=1×1015个/cm3的受主，那么电子n0和空穴浓度p0又为多少？
解：
（1）300K时可认为施主杂质全部电离。
（1分）
则（2分）
（2分）
（2）掺入了NA=5×1014个/cm3的受主，那么同等数量的施主得到了补偿。
（1分）
则
（2分）
（2分）
（3）因为施主和受主相互完全补偿，杂质的掺杂不起作用。
因此该半导体可看作是本征半导体（实际上不是）。
（1分）
则（2分）
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