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827考研试题分析

08上交考研题

今年专业课考试很不好，复习得完全偏离了考试，现在把今年的考试题大概范围做以总结。

今年选择题跟其他年份一样，也是很简单。

大题总共出了四个。

第一题：

（A）画出立方晶胞中的（1，1，-1）晶面和[1，0，1]晶向。

（B）若一个晶体中由（1，1，-1）晶面和[1，0，1]晶向组成一个滑移系，求该晶胞为何种晶体。

（C）画出在（1，1，-1）晶面上的螺型位错，其伯氏矢量方向为[1，0，1]，画出其在该面上发生交滑移的晶面。

第二题：

求解蒸汽压.

（A）Si在2000K的温度下发生蒸发，然后在300K时在晶面上凝聚，试求其蒸发和凝聚的蒸汽压。

（B）分析要让上述两个过程同时存在时,真空装置中的真空状态应该在什么范围之内,并简述起原因.

第三题:

铁碳相图

（A）求解含碳量为2.11%的铁碳合金冷却凝固后二次渗碳体的含量

（B）画出含碳量为2.11%的铁碳合金冷却曲线

第四题:

计算带隙能

计算可见光被吸收对应的最大和最小带隙能

（本题在第十章上有明确的解答）

关于选择题,有几点想说

1.题目很简单,但是面很宽,所以课本要仔细看,不要遗漏知识点.

2.今年选择题中有几个题目偏离了我复习的范围

（1）能带题目是:

由（N）个原子组成的固体有（2N）个能带

（2）回转反演轴中有哪个可以看作独立的宏观元素（-4）,仔细分析课本上关于这一段的内容可以看到,-1-2-3-6这几个回转反演轴都可以与对称中心.对称面等对应,只有-4没有可对应的,所以本题答案为-4

（3）关于第六章第一节中关于二氧化硅转变的问题,哪一个为位移型转变.

就这些吧,希望对大家能有所帮助!

另外,最好能与上海交大的同学或者老师多联系,获得尽量多的资料!

最好能获得考试大纲!

没有大纲太不公平了,本校的人太沾光了.要是有大纲,我敢保证我们也能考140,或者更多!

2009今年报考上海交大材料学,下面是今年材料科学基础四道大题题目:

1,求_mm处渗碳浓度为_的时间（_为具体数字）,其中误差函数对应的值给出,扩散系数需要通过题目中给的温度和扩散常数计算.（20分）

2.标注晶面及晶向,写出位错反应（大体内容,原题还有条件）.（20分）

3.合金和纯金属凝固过程（凝固条件,凝固组织）的异同.（15分）

4.5%的过共晶白口铸铁室温平衡凝固组织中各种类型渗碳体的含量.（20分）

小题共25题,每题3分

2010交大材料的历年考题都很简单，也很基础，今年也一样，可也说非常简单，仍是25道选择，大题有5道，先说大题吧：

（1）很简单在面心立方中画（1，-1,-1）密排面和其上[110]晶向，在体心立方中画（110）密排免和其上一个密排晶向【】，晶向指数可能不太对，不过就是密排面和密排晶向，这题很简单，但我理解错了，15分，所以很痛苦。

（2）画出铁碳相图，并标清各相区，再写出所有存在的恒温反应。

（3）扩散，很简单的用阿雷尼乌斯方程直接带计算结果

（4）位错反应，很简单，在各种材料辅导书中都很常见，交大真题也考了好多年

（5）这个是第十章的题，简单说明，金属、绝缘体、半导体电导率存在差别的原因。

选择有25个，只能大致能记多少说多少了：

1、下列哪个晶向在一个晶面上，就是考晶带定律

2、下列晶体不属于面心立方点阵（一个选项中列了三种如镁、铝、炭、让你选）

3、下列哪个是密排结构（A。

铝，B镁，C想不起来了）

4、有序固溶体的组态熵（A，大于0.B，小于0，C等于0）

5、室温下能稳定存在的是（A、位错，B、晶界，C、空位）其实就是点缺陷有平衡浓度，是热力学稳定的缺陷

6、晶体都是有密排面按一定的顺序堆垛而成的，下列哪些是发生了层错（很简单，ABCABC....,或ABAB.....排列是正常的，不选就行了）

7、俩个垂直的刃型位错交割，（一定会，可能会，不会）形成割接

8、单晶体临界分切应力与（拉应力位向、金属材料、拉伸屈服应力）哪个有关、这个应该是材料，是表征材料的特征，不要选那俩个，这在交大的题库选择题里有个原题

9、细化晶粒可是其（屈服强度、抗拉强度、断裂强度）哪个提高

10、对称元素-3可以看做是（3+i）

11、晶粒长大可近似（时间的根号成正比）

12、粗糙界面大约各有有多少（1、二分之一、四分之一）原子，使自由能最低

13、固溶体非平衡凝固使凝固温度（高于、低于、等于）平衡凝固温度

14、合金凝固时，增加杂质含量会增加凝固温度范围，从而有利于形成（平面状，胞状还是树枝）

15，三元相图恒温反应平面，必包括（俩相，三相，四相）

16、金属经高温淬火在室温是会形成大量过饱和空位，为了说明最好用哪种方法检验（金相法，电阻法，膨胀法）

17、金属呈现颜色主要与（吸收波，反射波，投射波）波长有关

恩只记住这么多了，其他的记不清了，不过大家也别担心，看了上面的题以及交大以前的题，会发现都很简单，很基础，其他的都让人没印象，肯定也非常简单才没什么印象，上面的题号基本是按顺序来的，也有些反了，不过交大出题是按章节来的，从前到后，大家自己对着以前真题看下就会明白。

2010上海交通大学材料科学基础初试试题（回忆版）

今年的专业课试题和往年一样很简单，且相对比往年的更加容易，我本来估计会考的那些复杂一点的题目一个也没考，大致是花了40分钟左右就基本完成了。

我想说的是大题第2题画Fe-C二元相图，可能是复习得时间间隔太久，第二阶段也没重视它结果可算是损失了不少分，本人是冲着140上去的，现在是恐怕比较难实现了

所以我想对考交大材料的朋友们说，在复习专业课的时候不要遗漏了任何一个知识点，我是在09年4月中旬开始看专业书的，因为是跨专业考，以前没学过《材料科学基础》，所以花的时间比较多，书大致看了3遍，现在看来还是有知识点遗漏，所以告诫各位朋友交大专业课不难但知识面广，基本上整本书都有可能考，所以多花时间是很必要的。

今年的考题大致也忘得差不多了，毕竟隔了这么长时间。

回忆如下希望能有帮助。

选择题很简单，认真看过书的同学相信都能很快完成。

以下是结合一些朋友的回忆我总结的今年题型的不同之处

1、固溶强化可以提高：

A屈服强度B抗拉强度C断裂强度

2、六方的坐标系和正交的坐标系换算,（临考前我特意看了换算公式的所以印象特别深）

3、两个韧型位错相交_____形成割接  A一定能B不一定能C一定不能

4、下列是外延生长的是a，二维b，三维

5、下列致密度最高的是a，Al  b，Zn  ……

6、再结晶后长大过程中D与t的关系（此种类型题目今年出了两个，当时考试的时候对比过）

7、三元相图中平衡反应有几相？

8、金属材料的颜色由什么光决定A反射光B折射光C吸收光

9、回复阶段主要影响？

  （答案是电导率，选项记不清了，有一个干扰项）

10、下列是热塑型材料的是A……

二，大题：

1，  晶体结构fcc和bcc，就是最简单的那种，画体心和面心的图和在图上画具体的的晶面，晶向。

2，  画铁碳（Fe-C）相图，写出平衡反应时的反应式（惟一一个复杂一点的题，败在这个题上了）

3，  扩散题，最基础那种，2004-2007真题中的几乎一样，其中涉及扩散距离与时间的关系

4，  位错只是加晶体学知识考核，（可以画图也可以纯计算，个人感觉画图简单些），就是告诉你位错类型和位错线方向然后求这个位错的各种参数和半原子面什么的，最后是写出分解成肖克利位错的反应式

5，  说明金属，半导体，绝缘体的导电性差异的原因（十章内容，用价带理论解释那种题）

感谢朋友的部分资料提供，这里也谢谢大家了。

这么快试就考完了，跟做梦似的，结果很不好，过的可能是不大了，今晚一晚都没睡，睡不着，脑子现在都昏的不行了，虽然我成功的几率几乎为零，还是希望能给自己的考研之路留下点结果，将我记忆的材料基础真题写到这，希望对大家有些帮助。

2010交大材料的历年考题都很简单

也很基础，今年也一样，可也说非常简单，仍是25道选择，大题有5道，先说大题吧：

（1）很简单在面心立方中画（1，-1,-1）密排面和其上[110]晶向，在体心立方中画（110）密排免和其上一个密排晶向【】，晶向指数可能不太对，不过就是密排面和密排晶向，这题很简单，但我理解错了，15分，所以很痛苦。

（2）画出铁碳相图，并标清各相区，再写出所有存在的恒温反应。

（3）扩散，很简单的用阿雷尼乌斯方程直接带计算结果

（4）位错反应，很简单，在各种材料辅导书中都很常见，交大真题也考了好多年

（5）这个是第十章的题，简单说明，金属、绝缘体、半导体电导率存在差别的原因。

选择有25个，只能大致能记多少说多少了：

1、下列哪个晶向在一个晶面上，就是考晶带定律

2、下列晶体不属于面心立方点阵（一个选项中列了三种如镁、铝、炭、让你选）

3、下列哪个是密排结构（A。

铝，B镁，C想不起来了）

4、有序固溶体的组态熵（A，大于0.B，小于0，C等于0）

5、室温下能稳定存在的是（A、位错，B、晶界，C、空位）其实就是点缺陷有平衡浓度，是热力学稳定的缺陷

6、晶体都是有密排面按一定的顺序堆垛而成的，下列哪些是发生了层错（很简单，ABCABC....,或ABAB.....排列是正常的，不选就行了）

7、俩个垂直的刃型位错交割，（一定会，可能会，不会）形成割接

8、单晶体临界分切应力与（拉应力位向、金属材料、拉伸屈服应力）哪个有关、这个应该是材料，是表征材料的特征，不要选那俩个，这在交大的题库选择题里有个原题

9、细化晶粒可是其（屈服强度、抗拉强度、断裂强度）哪个提高

10、对称元素-3可以看做是（3+i）

11、晶粒长大可近似（时间的根号成正比）

12、粗糙界面大约各有有多少（1、二分之一、四分之一）原子，使自由能最低

13、固溶体非平衡凝固使凝固温度（高于、低于、等于）平衡凝固温度

14、合金凝固时，增加杂质含量会增加凝固温度范围，从而有利于形成（平面状，胞状还是树枝）

15，三元相图恒温反应平面，必包括（俩相，三相，四相）

16、金属经高温淬火在室温是会形成大量过饱和空位，为了说明最好用哪种方法检验（金相法，电阻法，膨胀法）

17、金属呈现颜色主要与（吸收波，反射波，投射波）波长有关

恩只记住这么多了，其他的记不清了，不过大家也别担心，看了上面的题以及交大以前的题，会发现都很简单，很基础，其他的都让人没印象，肯定也非常简单才没什么印象，上面的题号基本是按顺序来的，也有些反了，不过交大出题是按章节来的，从前到后，大家自己对着以前真题看下就会明白。

2011年上海交通大学827材料科学基础试题真题（回忆版）

选择题有30道题，每题3分。

都是基础题，需要对教材比较熟。

Nacl和金刚石的晶体结构为

a面心b体心c正交

spinodel分解时，浓度较高区域的化学势

a较高b较低c不确定

面心立方结构晶体（100）面上原子的配位数是

a12b8c4

晶体结构中旋转对称轴不包含几次对阵轴

a4b5c6

晶带定律适用的晶系类型是

a正交b立方c六方

金属单质的表面能和晶界能相比

a大b小c不确定

由二氧化钛制备三氧化二钛易出现

a间隙钛离子b钛离子空位c氧离子空位

玻璃生产工序中的退火的目的是

a增加透光度b消除内应力c改变折射率

双交滑移和F-R源，更有效的增殖机制为

a前者b后者c不确定

热力学平衡状态下的金属单晶中

a空位比间隙原子多bc

下列具有更高自由能的是

a晶体b准晶c非晶

合金中的第二相粒子对晶粒长大的影响是

a和二相粒子半径成正比，和体积数成反比bc

此外，选择题还涉及冷变形金属回复阶段的主要变化，不能攀移的位错类型，非等量扩散中空位的移动方向，屈服现象的两种理论，离异共晶的问题，包晶时组元的扩散路径，多晶体变形需要的独立的滑移系个数，皮革态介于哪两个力学状态之间，非晶的形成难易与玻璃化温度和平衡凝固温度之比的关系，薄膜生长类型的区分，三元共晶相图垂直截面图的用途等。

大题共6题，前三题分别为8分、14分、8分，后三题各10分。

第一题

（1）画出立方晶胞中的（1，1，-1）晶面和[2，2，3]晶向；

（2）画出六方晶胞中的（1，1，-2,3）晶面和[-1，-1，2,3]晶向。

第二题

（1）面心立方晶体（111）面上单位位错a/2[-1，1，0]分解为2个不全位错，下列哪一个正确，并说明理由

1）a/2[-1，1，0]→a/6[-1，2，-1]+a/6[-2，1，1]

2）a/2[-1，1，0]→a/6[-1，2，1]+a/6[-2，1，-1]

（2）从能量角度说明其可行。

（3）证明面心立方拓展位错的宽度公式。

（要求严格证明）题目给出了刃、螺型位错应力场公式。

第三题

求再结晶时间，最简单的那种，利用t2/t1=exp-Q/R（1/T1-1/T2）。

第四题

用菲克第一定律求扩散量的一个题。

涉及用跃迁频率算扩散系数。

第五题

二元共晶相图题，画出过共晶的室温组织示意图；求正常凝固和平衡凝固共晶组织的相对量。

第六题

说明热塑性塑料和热固性塑料的区别。

2012

1.σ=100MPa.作用在[001]方向上，求作用在（111）[10-1]，,（111）[1-10]两个滑移系上分切应力（考点是课本171-172页）

  4.已知a=3.6x10-8cm，G=40GPa，Esf=7x10-6J/CM2  a/2[10-1]→a/6[11-2]+a/6[2-1-1]+SF求d

  5.一个冷却图（好像是第二版269页Pt-Ag包晶图），要会读图会分析，自由能成分曲线一块（P256-259），当时要求画个一个切线，公切线位置，平衡冷却曲线，相应反，平衡组织（要求画图）要求证明P302页共晶中两相组织相对量27.6%一值，写出推导过程。

书上都有自己看看吧

2013上海交通大学827材料科学基础真题

一、选择题（25×3=75）

1、形成无限固溶体的必要条件是

A半径差小B化学亲和力大C晶体结构相同

2、以下fcc中不能发生攀移的位错是

A（a/3）*<111>B（a/6）*<121>C（a/2）*<110>

3、伯氏矢量相互垂直的两刃型位错相互交割形成的割接是

A刃型位错B螺型位错C混合型位错

4、

=0.525的离子晶体形成的化学式为

AXY2BX2Y3CXY

5、bcc交滑移系是由一个滑移方向及该方向所在的两个滑移面构成，则下面是正确的交滑移系的是

A（110）[111]（1-10）B（110）[-111]（101）C（-110）[11-1]（01-1）

6、密排六方四轴坐标系下的晶向[11-20]在三轴坐标系下的指数为

A[110]B[1-20]C[100]

7、以下关于位错应力场的说法正确的是

A螺型位错的切应力全为零B刃型位错主应力全为零

C螺型位错主应力全为零

8、fcc中的八面体间隙若全部被杂质原子占据所形成的间隙固溶体分子式为

AMXBMX2CM2X

9、下列关于层错能的说法错误的是

A层错能越高，则不全位错宽度越窄

B层错能越高的晶体越易形成胞状亚结构

C层错能高的金属易发生动态再结晶

10、低碳钢的应变时效可以以下那种理论解释

A固溶强化B柯氏气团C滞弹性

11、简单立方结构的致密度为

A0.64B1C0.524

12、杂质的存在一般对晶界迁移的影响是

A阻碍晶界迁移B促进晶界迁移C影响不确定

13、对铝进行单向拉伸，拉伸轴的方向是[123]，则首先开动的滑移系是

A（111）[011]B（111）[-101]C（-111）[101]

14、单质凝固均匀形核，形成临界晶核时

A液固两相体积自由能差完全抵消两相界面能

B发生的变化有结构起伏，成分起伏，能量起伏

C总的自由能高于未形核状态

15、铁碳合金中，关于莱氏体和珠光体，错误的是

ALd中渗碳体含量比P中少

BLd可以变成变态Ld

C含Ld的合金属于铸铁

16、二元合金成分过冷的表述正确的是

A液相扩散系数越大，越易成分过冷

B

，越不易成分过冷

C成分过冷度越大，越易形成树枝晶

17、下列高分子的反应中可以析出小分子的是

A均加聚B混加聚C缩聚

18、三元相图中，单相区与三相区通过什么相接触

A点接触B线接触C面接触

19、柯肯达尔效应中标记面的移动主要原因是

A扩散原子尺寸差异B扩散原子扩散系数的不同C空位浓度不同

20、高分子独有的力学行为是

A玻璃态B高弹态C黏流态

21、TiO2中的部分Ti4+被Ti3+取代，则在该离子晶体中形成

ATi离子空位B氧空位C过氧离子

22、二元反应扩散中存在

A一元共存B二元共存C三元共存

23、固态相变中成分和结构都存在变化的方式是

A调幅分解B多晶型转变C贝氏体相变

24、下列按界面迁移将固态相变进行分类正确的是

A马氏体相变属于扩散型转变B珠光体相变属于界面迁移控制的相变C块状相变属于界面迁移控制的相变

25、固态相变中过冷度很大且界面能的降低足以同时克服晶体形成共格和非共格晶界所引起的应变能，此时固态相变最易形成的晶体类型为

A针状B棒状C盘状

二、主观题

1、简述固态相变中的非均匀形核方式以及推动这些方式的形核动力或原因（15分）

2、晶体结构及位错综合题（30分）

（1）如右图所示标出晶向AB（从A到B）

的晶向指数和晶面ABC的指数。

（5分）

（2）若某晶体滑移时以ABC为晶面以AB

为晶向，指出该晶体的结构类型，并说明

原因。

（5分）

（3）已知该晶体的原子半径r=0.135nm,求该晶体的

点阵常数和全位错伯氏矢量的大小。

（5分）

（4）已知该晶体经塑性变形后的位错密度

=1011/cm2

（貌似是这个数）设切变模量G=4*1010Pa，求该晶体

塑性变形后单位体积的应变能。

（10分）

（5）已知某刃型位错以AC（从A到C方向）

为位错线，伯氏矢量为[110]，试

确定该位错能否进行滑移，说明

原因。

（5分）

3、在NaCl晶体中掺有少量的

Cd2+，

测出Na在NaCl的扩散系数

与1/T的关系，如下图所示

（其中黑色圆点为理论值，白色原点为实测值）

（1）说明在530K左右两条直线发生弯折的原因。

（5分）

（2）在高温下理论值与实测值吻合较好但在高温下二者差别较大，试分析原因。

（10分）

4、如下图所示的二元共晶相图中A、B两组元液相无限互溶，固态互不相溶，其中液相和两固相的热熔相同，A、B两组元的熔点TA和TB相同，在共晶反应前后A、B两组元的摩尔熵变分别为

=8.4J/mol/K、

=4.2J/mol/k,试确定共晶点E点的成分。

（15分）

2014第一题、关于位错的。

第一题：

关于位错的。

1.写晶面和晶向。

（答案是<110>晶向族里的八个，和{111}晶面族里的4个。

）

2.给出fcc的原子半径为r，写出fcc的单位位错。

3.写出位错反应以及判定其能量和结构条件。

（是常见的那个扩展为错的位错反应。

）

4.沿着[110]晶向，某个滑移系是否可以开动。

哪个最先开动。

（使用schmid因子判定一下就好）判断位错能否移动（由给定的位错和柏氏矢量可判断为刃型位错，滑移面为（001），而面心立方滑移面为（111），故不能滑移）这题送分的不难。

第二题：

求MgO的密度、致密度，第二问举例说明哪个面上全为Mg2+或O2-（答案为111面）PS：

考场不让带计算器，所以千万别小看了这题……算死你…这题配套习题册上应该有原题

第三题：

证明西山关系和K-S关系，相差5.26°。

（应该跟极射投影那块有关）

第四题：

反应扩散，给了Fe-N相图，让画出纯铁渗N层的浓度变化那个图，简单分析一下，还问了为什么不能有两相共存。

见课本P157原图

第五题：

三元相图。

问相图名称，O点和O`点的冷却曲线和室温组织，还有写出四相共晶反应。

给了（8.19三元共晶相图投影图。

）见课本P349原图，不过增加了一图O‘的。

同时写出计算O点的A和液态L的计算公式，都是349页的式子。

1.写晶面和晶向。

（答案是<110>晶向族里的八个，和{111}晶面族里的4个。

）

2.给出fcc的原子半径为r，写出fcc的单位位错。

3.写出位错反应以及判定其能量和结构条件。

（是常见的那个扩展为错的位错反应。

）

4.沿着[110]晶向，某个滑移系是否可以开动。

哪个最先开动。

（使用schmid因子判定一下就好）

第二题、证明西山关系和K-S关系，相差5.26°。

第三题、是反应扩散，给了Fe-N相图，让画出纯铁渗N层的浓度变化那个图，简单分析一下，还问了为什么不能有两相共存。

第四题、考三元相图。

问相图名称，O点和O`点的冷却曲线和室温组织，还有写出四项共晶反应。

给了（8.19三元共晶相图投影图。

）

2015年827专业课回忆

一、选择题（3X25=75分）

二、综合题（5X15=75分）

1.关于说明材料的主要强化机制及影响因素

2.施密特公式

（1）公式推导，并说明在何种情况下屈服极限取值最小

（2）单晶体与多晶体屈服极限有什么不同

3.关于金刚石的有关计算

（1）金刚石的致密度

（2）金刚石转变成石墨时体积变化

4.关于柯肯达尔效应：

已知互扩散系数和扩散时间、扩散距离、组元A梯度等，求A、B的本征扩散系数

5.关于Ag-Mg合金相图

（1）标出图中所有相区

（2）写出所有恒温反应式（共四个）

（3）画出两个成分点（Ⅰ、Ⅱ）的平衡冷却曲线

（4）计算675℃三相反应（包晶反应）消耗的液相量

2015今年的题目相对基础，没有出现偏题、怪题。

考试内容都在材基教材中，今年大题中并没有出现第十章的题目。

今年上交的827《材料科学基础》总体来说比去年前年的简单一些，尤其是大题。

整张卷子基本没有亚稳态、功能特性、高分子等方面的内容，考的知识点还是很基础都是课本上的知识，只要好好把课本领悟了就没什么问题。

选择题就是像往常一样的考的细碎。

只要把课本好好理解记忆了就完全没什么问题，没有什么偏题难题，都是最基础的知识点。

我个人认为，根据之前的考题，高、低层错能金属的各种差别是要好好总结一下，例如是否有利于交滑移、扩展位错宽度、亚晶合并或者是迁移机制等等等等。

这就要求我们在看书的时候不仅要记忆而且需要学会对比、回顾和总结。

今年的考题其实完全没有需要大段背诵的地方，我觉得选择题就是主要还是看你对这门课的熟悉程度，所以提前看看课本真的有必要。

不管看第几遍都要细致。

大题的话今年题目特别合情合理，没有固态相变、亚稳态、功能特性、三元相图等内容。

共5个大题。

1.材料的强化机制及其原理和影响因素。

2.晶体材料滑移的取向选择及其原因（密排面密排方向）；临界分切应力的公式证明；单晶体多晶体塑性变形的差异（晶粒间互相协调变形）。

3.金刚石致密度计算；金刚石转变成石墨的体积变化率（已知金刚石键长和石墨密度）。

4.柯肯达尔效应的一个最基础的计算题，求两组元自扩散系数（已知互扩散系数、A组元含量、A组元扩散距离、时间、浓度梯度）。

5.Ag-Mg相图：

标各相区成分；写出各恒温反应式；画平衡浓度随温度变化曲线；用杠杆定律计算消耗量。

这样看来比之前几年都简单了好多，也侧面说明上交《材料科学基础》专业课考试出题侧重点的灵活性。

总之今年的专