OLED12864参数数据.docx
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OLED12864参数数据
二、模块引脚说明
128X64引脚说明
引脚
名称
方向
说明
引脚
名称
方向
说明
1
VSS
-
GND（0V）
11
DB4
I
数据4
2
VDD
-
SupplyVoltageForLogic（+5v）
12
DB5
I
数据5
3
VO
-
SupplyVoltageForLCD
13
DB6
I
数据6
4
RS（CS）
O
H:
DataL:
InstructionCode
14
DB7
I
数据7
5
R/W（SID）
O
H:
ReadL:
Write
15
PSB
O
H:
ParallelMode
L:
SerialMode
6
E（SCLK）
O
EnableSignal
16
NC
-
空脚
7
DB0
I
数据0
17
/RST
O
ResetSignal低电平有效
8
DB1
I
数据1
18
NC
-
空脚
9
DB2
I
数据2
19
LEDA
-
背光源负极（LED-0V）
10
DB3
I
数据3
20
LEDK
-
背光源正极（LED+5V）
外形尺寸
ITEM
NOMINALDIMEN
UNIT
模块体积
93×78×12.5
mm
视域
70.7×38.8
mm
行列点阵数
128×64
dots
点距离
0.52×0.52
mm
点大小
0.48×0.48
mm
三、液晶硬件接口
1、逻辑工作电压（VDD）：
4.5～5.5V
2、电源地（GND）：
0V
3、工作温度（Ta）：
0～60℃（常温）/-20～75℃（宽温）
4、电气特性见附图1外部连接图（参考附图2）
模块有并行和串行两种连接方法（时序如下）：
1、8位并行连接时序图
MPU写资料到模块
MPU从模块读出资料
2、串行连接时序图
四、用户指令集
1、指令表1：
（RE=0：
基本指令集）
指令
指令码
说明
执行时间（540KHZ）
RS
RW
DB7
DB6
DB5
DB4
DB3
DB2
DB1
DB0
清除显示
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
将DDRAM填满“20H”，并且设定DDRAM的地址计数器（AC）到“00H”
4.6ms
地址归位
0
0
0
0
0
0
0
0
1
X
设定DDRAM的地址计数器（AC）到“00H”，并且将游标移到开头原点位置；这个指令并不改变DDRAM的容
4.6ms
进入点
设定
0
0
0
0
0
0
0
1
I/D
S
指定在资料的读取与写入时，设定游标移动方向及指定显示的移位
72us
显示状态
开/关
0
0
0
0
0
0
1
D
C
B
D=1：
整体显示ON
C=1：
游标ON
B=1：
游标位置ON
72us
游标或显示移位控制
0
0
0
0
0
1
S/C
R/L
X
X
设定游标的移动与显示的移位控制位元；这个指令并不改变DDRAM的容
72us
功能设定
0
0
0
0
1
DL
X
0
RE
X
X
DL=1（必须设为1）
RE=1：
扩充指令集动作
RE=0：
基本指令集动作
72us
设定CGRAM地址
0
0
0
1
AC5
AC4
AC3
AC2
AC1
AC0
设定CGRAM地址到地址计数器（AC）
72us
设定DDRAM
地址
0
0
1
AC6
AC5
AC4
AC3
AC2
AC1
AC0
设定DDRAM地址到地址计数器（AC）
72us
读取忙碌标志（BF）和地址
0
1
BF
AC6
AC5
AC4
AC3
AC2
AC1
AC0
读取忙碌标志（BF）可以确认部动作是否完成，同时可以读出地址计数器（AC）的值
0us
写资料到RAM
1
0
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
写入资料到部的RAM（DDRAM/CGRAM/IRAM/GDRAM）
72us
读出RAM的值
1
1
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
从部RAM读取资料（DDRAM/CGRAM/IRAM/GDRAM）
72us
指令表—2：
（RE=1：
扩充指令集）
指令
指令码
说明
执行时间（540KHZ）
RS
RW
DB7
DB6
DB5
DB4
DB3
DB2
DB1
DB0
待命模式
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
将DDRAM填满“20H”，并且设定DDRAM的地址计数器（AC）到“00H”
72us
卷动地址或IRAM地址选择
0
0
0
0
0
0
0
0
1
SR
SR=1：
允许输入垂直卷动地址
SR=0：
允许输入IRAM地址
72us
反白选择
0
0
0
0
0
0
0
1
R1
R0
选择4行中的任一行作反白显示，并可决定反白与否
72us
睡眠模式
0
0
0
0
0
0
1
SL
X
X
SL=1：
脱离睡眠模式
SL=0：
进入睡眠模式
72us
扩充功能设定
0
0
0
0
1
1
X
1
RE
G
0
RE=1：
扩充指令集动作
RE=0：
基本指令集动作
G=1：
绘图显示ON
G=0：
绘图显示OFF
72us
设定IRAM地址或卷动地址
0
0
0
1
AC5
AC4
AC3
AC2
AC1
AC0
SR=1：
AC5—AC0为垂直卷动地址
SR=0：
AC3—AC0为ICONIRAM地址
72us
设定绘图RAM地址
0
0
1
AC6
AC5
AC4
AC3
AC2
AC1
AC0
设定CGRAM地址到地址计数器（AC）
72us
HS12864-12串口接线方式：
备注：
1、当模块在接受指令前，微处理顺必须先确认模块部处于非忙碌状态，即读取BF标志时BF需为0，方可接受新的指令；如果在送出一个指令前并不检查BF标志，那么在前一个指令和这个指令中间必须延迟一段较长的时间，即是等待前一个指令确实执行完成，指令执行的时间请参考指令表中的个别指令说明。
2“RE”为基本指令集与扩充指令集的选择控制位元，当变更“RE”位元后，往后的指令集将维持在最后的状态，除非再次变更“RE”位元，否则使用相同指令集时，不需每次重设“RE”位元。
具体指令介绍：
1、清除显示
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
功能：
清除显示屏幕，把DDRAM位址计数器调整为“00H”
2、位址归位
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
L
L
L
L
L
L
L
H
X
功能：
把DDRAM位址计数器调整为“00H”，游标回原点，该功能不影响显示DDRAM
3、位址归位
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
L
L
L
L
L
L
H
I/D
S
功能：
把DDRAM位址计数器调整为“00H”，游标回原点，该功能不影响显示DDRAM功能：
执行该命令后，所设置的行将显示在屏幕的第一行。
显示起始行是由Z地址计数器控制的，该命令自动将A0-A5位地址送入Z地址计数器，起始地址可以是0-63围任意一行。
Z地址计数器具有循环计数功能，用于显示行扫描同步，当扫描完一行后自动加一。
4、显示状态开/关
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
L
L
L
L
L
H
D
C
B
功能：
D=1；整体显示ONC=1；游标ONB=1；游标位置ON
5、游标或显示移位控制
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
L
L
L
L
H
S/C
R/L
X
X
功能：
设定游标的移动与显示的移位控制位：
这个指令并不改变DDRAM的容
6、功能设定
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
L
L
L
H
DL
X
0RE
X
X
功能：
DL=1（必须设为1）RE=1；扩充指令集动作RE=0：
基本指令集动作
7、设定CGRAM位址
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
L
L
H
AC5
AC4
AC3
AC2
AC1
AC0
功能：
设定CGRAM位址到位址计数器（AC）
8、设定DDRAM位址
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
L
H
AC6
AC5
AC4
AC3
AC2
AC1
AC0
功能：
设定DDRAM位址到位址计数器（AC）
9、读取忙碌状态（BF）和位址
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
H
BF
AC6
AC5
AC4
AC3
AC2
AC1
AC0
功能：
读取忙碌状态（BF）可以确认部动作是否完成，同时可以读出位址计数器（AC）的值
10、写资料到RAM
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
H
L
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
功能：
写入资料到部的RAM（DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM）
11、读出RAM的值
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
H
H
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
功能：
从部RAM读取资料（DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM）
12、待命模式（12H）
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
功能：
进入待命模式，执行其他命令都可终止待命模式
13、卷动位址或IRAM位址选择（13H）
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
L
L
L
L
L
L
L
H
SR
功能：
SR=1；允许输入卷动位址SR=0；允许输入IRAM位址
14、反白选择（14H）
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
L
L
L
L
L
L
H
R1
R0
功能：
选择4行中的任一行作反白显示，并可决定反白的与否
15、睡眠模式（015H）
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
L
L
L
L
L
H
SL
X
X
功能：
SL=1；脱离睡眠模式SL=0；进入睡眠模式
16、扩充功能设定（016H）
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
L
L
L
H
H
X
1RE
G
L
功能：
RE=1；扩充指令集动作RE=0；基本指令集动作G=1；绘图显示ONG=0；绘图显示OFF
17、设定IRAM位址或卷动位址（017H）
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
L
L
H
AC5
AC4
AC3
AC2
AC1
AC0
功能：
SR=1；AC5~AC0为垂直卷动位址SR=0；AC3~AC0写ICONRAM位址
18、设定绘图RAM位址（018H）
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
L
L
H
AC6
AC5
AC4
AC3
AC2
AC1
AC0
功能：
设定GDRAM位址到位址计数器（AC）
五、显示坐标关系
1、图形显示坐标
2、汉字显示坐标
X坐标
Line1
80H
81H
82H
83H
84H
85H
86H
87H
Line2
90H
91H
92H
93H
94H
95H
96H
97H
Line3
88H
89H
8AH
8BH
8CH
8DH
8EH
8FH
Line4
98H
99H
9AH
9BH
9CH
9DH
9EH
9FH
3、字符表
代码（02H---7FH）
六、显示步骤
1、显示资料RAM（DDRAM）
显示资料RAM提供64×2个位元组的空间，最多可以控制4行16字（64个字）的中文字型显示，当写入显示资料RAM时，可以分别显示CGROM、HCGROM与CGRAM的字型；ST7920A可以显示三种字型，分别是半宽的HCGROM字型、CGRAM字型及中文CGROM字型，三种字型的选择，由在DDRAM中写入的编码选择，在0000H—0006H的编码中将自动的结合下一个位元组，组成两个位元组的编码达成中文字型的编码（A140—D75F），各种字型详细编码如下：
1、显示半宽字型：
将8位元资料写入DDRAM中，围为02H—7FH的编码。
2、显示CGRAM字型：
将16位元资料写入DDRAM中，总共有0000H，0002H，0004H，0006H四种编码。
3、显示中文字形：
将16位元资料写入DDRAMK，围为A1A1H—F7FEH的编码。
绘图RAM（GDRAM）
绘图显示RAM提供64×32个位元组的记忆空间，最多可以控制256×64点的二维也纳绘图缓冲空间，在更改绘图RAM时，先连续写入水平与垂直的坐标值，再写入两个8位元的资料到绘图RAM，而地址计数器（AC）会自动加一；在写入绘图RAM的期间，绘图显示必须关闭，整个写入绘图RAM的步骤如下：
1、关闭绘图显示功能。
2、先将水平的位元组坐标（X）写入绘图RAM地址；
3、再将垂直的坐标（Y）写入绘图RAM地址；
4、将D15——D8写入到RAM中；
5、将D7——D0写入到RAM中；
6、打开绘图显示功能。
绘图显示的记忆体对应分布请参考表
2、游标/闪烁控制
ST7920A提供硬体游标及闪烁控制电路，由地址计数器（addresscounter）的值来指定DDRAM中的游标或闪烁位置。
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