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"半导体材料,第八章IIIV族多元合物半导体,四探针法原理请参考陈治明，王建农，半导体器件的材料物理学基础，科学出版社，1999年5月第一版，p:

@#@249-268,8-1异质结,异质结：

@#@两种不同晶体接触处所形成的结。

@#@由两种半导体单晶联结起来构成。

@#@可分为同型（NN+，PP+）和异型（PN）两种理想的异质结应是突变的，但实际上一般的外延生长方法制备的异质结，常常是具有一定厚度的缓变区（过渡区），会影响异质结的某些特性。

@#@利用MBE，MOVPE，ALE等外延技术可以生长过渡区很窄或突变的异质结。

@#@MOVPE反应器中气体流速快，可以迅速改变多元化合物组分和杂质浓度，从而可以使杂质分布陡峭一些，过渡层薄。

@#@MBE生长速度低（0.1-1nm/s），利用快门可精密地控制掺杂、组分和厚度，是一种原子级的生长技术，有利于生长多层异质结构,在器件，特别是光电器件的设计和制做中常利用异质结的以下特性：

@#@由低阻衬底和含有器件的有源区的外延层构成的同型异质结，衬底与外延层的交界面在无源区，衬底只起到支撑外延层的作用。

@#@同型异质结在靠近有源区处能提供一个带隙较高的透明层，可消除复合速度很高的自由表面，而异质结界面则起到钝化作用。

@#@同型异质结也能形成限制载流子的势垒，可缩短载流子的扩散长度，从而减少了复合区宽度。

@#@异型异质结可利用改变两侧禁带宽度的相对大小来提高电子或空穴的注入效率。

@#@同型和异型异质结都能提供一个折射率阶跃，形成光波导的界面同型异质结还可以为形成金属化欧姆接触提供一个禁带宽度小的称作“盖层”的材料层。

@#@,异质的能带突变,异质结的两边是不同的半导体材料，则禁带不同，从面在异质结处就存在导带的突变量Ec和价带的突变量Ev。

@#@这些能带突变量是表征异质结的重要物理量对异质结处的应用有很重要的影响。

@#@一、典型的能带突变形式1、禁带交叉式2、禁带错开式3、禁带不交接,能带突变的应用,能带突变的应用是多方面的：

@#@1、可以产生热电子2、可形成使电子反射的势垒3、提供一定厚度和高度的势垒，当势垒很薄时，电子可以隧穿，势垒较厚时，只有那些能量比势垒高度大的电子才能越过。

@#@4、造成一定浓度和宽度的势阱，束缚电子于其中，当势阱宽度小于电子的debroglie波长时，阱中的电子将处于一系列量子化能级上（即量子势阱）,晶格失配,在异质外延层和衬底或相邻的两个外延层之间，如果存在晶格常数的差异，称之为晶格失配。

@#@晶格失配率：

@#@其中：

@#@f为失配率（度），a1和a2分别为外延层材料和衬底材料的晶格常数。

@#@,晶格失配的影响,晶格失配的存在，常给器件制做和性能带来不利的影响，因此在外延时，一般都尽是限制和降低晶格失配的影响。

@#@要想使两种晶格常数不同的材料在原子尺寸范围内达到相互近似匹配，只有在晶格处于弹性应变状态，即在两种晶格交界面附件的每个原子偏离其正常位置时才能实现。

@#@当这种应变较大时，即存储在晶体中的应变能量足够大时，将通过在界面处形成位错而释放，所形成的位错称为失配位错。

@#@实验表明，在异质结外延层中，晶格失配引起的位错密度可达107-108/cm2，甚至达到1010/cm2。

@#@如果发光器件的有源区中有如此高密度的位错，其发光效率将大大降低。

@#@减少办法：

@#@

（1）临界厚度法

（2）界面缓变法（3）组分突变法（4）生长应变超晶格,晶格失配不利影响的消除办法,

（1）临界厚度法在异质外延生长时，应变能是随着外延层的厚度增加而增加的。

@#@通常把外延层即将释放应变能形成失配位错时的厚度称为“临界厚度”。

@#@因此在进行异质外延生长时，如果其厚度不超过临界厚度，则外延层是完整的，没有失配位错。

@#@特点：

@#@制备的外延层无位错，但外延层厚度较小,晶格失配不利影响的消除办法,

（2）缓变法在异质外延生长时，缓慢地改变其多元化合物的组分，使晶格常数逐渐变化到要求值。

@#@即在生长一组分缓变的过渡层后再生长所要求的恒定组分层。

@#@这种方法虽然不能消除失配位错，但能有效的将位错分散到比较厚的外延层中，使外延层横截面内的平均位错密度下降，从而改善那些利用外延层表面制作的器件的性能。

@#@特点：

@#@外延层厚，分散位错,（3）组分突变法在液相外延生长时发现，如果是晶格失配材料生长时，外延层中的位错密度通常只是衬底1/31/10，这是因为许多位错有拐弯进入交界面的倾向。

@#@根据这一现象，在外延生长时，不是一次生长出厚的外延层，而是生长几个不同厚度的薄外延层，利用两层间的交界面，使部分位错拐弯，降低外延层表面的位错密度。

@#@特点：

@#@生长几层外延层，将位错转移到层界面，降低表面位错密度。

@#@需注意的是：

@#@如果所生长的多层厚度较厚时，处在压应变状态（即衬底晶格常数小于外延层时），这种方法有效。

@#@反之，处于伸张状态，不但位错密度不能降低，反而还会增加。

@#@,8-5超晶格与量子阱,半导体超晶格-是利用超薄层生长技术制备的一种新型的人工材料。

@#@江崎玲于奈（LeoEsaki），朱兆祥等于1969年提出半导体超晶格的概念。

@#@江崎从实验中发现半导体的隧道现象，并提出超晶格的概念，与约瑟夫森一起分享了1973年的诺贝尔物理学奖（约瑟夫森理论上预言了通过隧道阻挡层的超电流的性质。

@#@）由于半导体超晶格具有很多体材料不具备的特性和广阔的应用前景，深受人们的重视。

@#@30多年来，在超晶格物理、材料制备、特性检测与分析及在器件制做方面的应用等都发展得十分迅速，取得了惊人的成果，成为当今半导体科学最活跃的领域之一，,超晶格概念的提出的意义首先-超晶格材料的发明开创了材料科学的新纪元半导体能带工程的思想后来逐渐发展成材料科学领域广为人知的“分子设计方法”现在人们设计某种新材料，而只需利用计算机，从材料的微观结构和性能的关系出发，用设计分子结构的方法，来算出具有特定性能的某种材料以前人们一直认为只有晶格匹配的二种材料才能粘合到一起，后来人们才发现，借助于材料的应变，晶格不匹配的二种材料同样可以有效结合。

@#@这就是应变超晶格的概念除此之外，超晶格的概念不仅在半导体，而且在别的领域也产生了深远的影响在后来出现的金属超晶格，磁多层膜等概念中都可以找到半导体超晶格的影子半导体超晶格的研究还使低维系统的研制兴旺发达起来，使原来只是在量子力学课本中假想的低维体系，在实验室里被真真切切地制造出来。

@#@在应用方面半导体超晶格材料也取得了令人瞩目的成就例如，用超晶格材料制成的性能优异的激光器等,超晶格,超晶格是一种新型结构的半导体化合物，它是由两种极薄的不同材料的半导体单晶薄膜周期性地交替生长的多层异质结构，每层薄膜一般含几个以至几十个原子层。

@#@由于这种特殊结构，半导体超晶格中的电子（或空穴）能量将出现新的量子化现象，以致产生许多新的物理性质。

@#@,两种晶格非常匹配但禁带宽度不同的材料A和B，以薄层的形式周期性交替生长在一起，则其中电子沿薄层生长方向Z的连续能带将会分裂成一些子能带，由连续能带分裂而成的第n个子能带的E（k）关系可表示为：

@#@E（k）=En02tncoskdk是电子沿Z方向的波矢，限制在布里渊区（-/d,/d）之中，d是两个薄层的总厚度，即超晶格的重复周期，或称超晶格常数。

@#@tn是能带宽度的量度，2tn即为该子能宽度。

@#@,GaAs和AlAs交替叠合而成的半导体超晶格,半导体超晶格与多量子阱,相邻两层不同材料的厚度的和称为超晶格的周期长度，一般来说这个周期长度比各层单晶的晶格常数大几倍或更长，因此这种结构获得了“超晶格”的名称。

@#@由于这两种材料的禁带宽度不同，则其能带结构出现了势阱和势垒。

@#@称窄禁带材料厚度为阱宽Lw，宽禁带材料厚度为垒宽LB，而Lw+LB就是周期长度。

@#@当这两种薄层材料的厚度和周期长度小于电子平均自由程时，整个电子系统进入了量子领域，产生量子尺寸效应。

@#@这时夹在两个垒层间的阱就是量子阱。

@#@,用两种禁带宽度不同的材料A和B构成两个距离很近的背靠背的异质结，A/B/A，若材料B是窄禁带半导体，且其导带底低于材料A的导带底，则当其厚度，亦即这两个背靠背的异质结的距离小于电子的平均自由程（约100nm），电子即被约束在材料B中，形成以材料A为电子势垒，B为电子势阱的量子阱。

@#@若材料B的价带顶也高于A的价带顶，则该结构同时也是材料A为空穴势垒，B为空穴势阱的量子阱,由于两种材料的禁带宽度不同而引起的沿薄层交替生长方向（z方向）的附加周期势分布中的势阱称为量子阱。

@#@量子阱中电子与块状晶体中电子具有完全不同的性质，即表现出量子尺寸效应，量子阱阱壁能起到有效的限制作用，使阱中的载流子失去了垂直于阱壁方向（z方向）的自由度，只在平行于阱壁平面（xy面）内有两个自由度，故常称此量子系统为二维电子气。

@#@,对电子和空穴的运动来说，GaAs和AlAs材料构成超晶格最重要的特点是能带在a、b界面的突变。

@#@图中a代表宽禁带隙的材料，a层中的电子和空穴将进入两边的b层，能量将处于b材料的禁带隙内，只要b层不是十分薄它们将基本被反射回去。

@#@换言之，电子和空穴将被限制在b层内，好像落入陷阱，这种限制电子和空穴的特殊能带结构被形象地称为“量子阱”。

@#@超晶格则是包含了许多个这样的量子阱，且阱之间能够相互作用，形成小能带。

@#@,多量子阱和超晶格的区别,多量子阱和超晶格都是连续周期排列的异质结构材料，区别在于势垒的厚度和高度不同：

@#@当势垒厚度（宽带隙材料的厚度）20nm和势垒高度大于0.5eV时，那么多个阱中的电子行为如同单个阱中电子行为的总和，这种结构材料称为多量子阱，它适合制做低阈值，锐谱线的发光器件。

@#@如果势垒比较薄或高度比较低，由于隧道效应，使阱中电子隧穿势垒的几率变得很大，势阱中分立的子能级就形成了具有一定宽度的子能带，这种材料称为超晶格，它适于制备大功率的发光器件。

@#@,在超晶格量子阱中由于电子沿量子阱生长方向的运动受到约束则会形成一系列离散量子能级；@#@另一方面，在沿量子阱界面的平面内电子仍是自由运动的，其运动为准二维的。

@#@二维与三维的态密度有本质的差别三维运动的态密度与E1/2（E是能量）成正比，二维运动的态密度是常数。

@#@对于GaAsAlAs界面由于能带的不连续性，再加上电离杂质的空间电荷效应，在GaAs层靠近界面处会形成电子的量子阱，杂质电子在阱中形成二维电子气。

@#@超晶格量子阱的一些重要现象和性质即可用二维电子气的态密度来描述。

@#@通过对二维电子气的态密度的计算，发现二维电子气的态密度与能级无关。

@#@正是这种特性，给超晶格带来了许多方面的应用。

@#@可参考：

@#@阎明，”半导体超晶格及其量子阱的原理”，上海海运学院学报，V0l_21No1Mar2000，p=102-107,量子阱的应用,量子阱红外探测器阱材料的子带中有两个子能带，即基态E1和第一激发态E2，在材料生长过程中利用掺杂型半导体使子带阱中基态上具有一定的二维电子密度，当入射辐射光子能量为h照射到器件接收面上时，E1上的电子将被光子激发到E2态，并隧穿势阱壁形成热电子，以致形成与入射光强度成正比的电信号。

@#@这种新型、快速、灵敏的红外探测器具有灵活性大、响应速度快、量子效率高、结构简明等优点。

@#@量子阱红外探测器还具有材料均匀性好稳定性好，重复性好及质高价廉等优点，其发展速度特别快。

@#@这种新型量子阱探测器的问世，大大促进了大规模集成、光学逻辑电路、红外成像技术的发展量子阱红外探测器对红外物理、红外光电子学及其应用领域带来了革命性的发展。

@#@,组分超晶格,目前已设计制备出多种超晶格结构，主要有组分超晶格、掺杂超晶格、多维超晶格，应变超晶格。

@#@如果超晶格材料的一个重复单元是由两种不同材料的薄层构成，则称为组分超晶格。

@#@在组分超晶格中，由于组成的材料具有不同的电子亲和势和禁带宽度，在异质界面处发生能带不连续，根据不同材料的电子亲和势的差可以确定导带的不连续能量值Ec，再考虑禁带宽度，就可以确定价带不连续值Ev，。

@#@这样超晶格从能带结构上来划分可分为四种类型。

@#@其中第I种类型的超晶格的电子势阱和空穴势阱都处在同一薄层材料中，这种类型的超晶格结构，适于制做激光器。

@#@,一、组分超晶格的制备制备组分超晶格时应满足如下的要求：

@#@

（1）组分超晶格是超薄层异质周期排列结构，因此制备时生长速率应能精确地控制，以保证各层厚度的重复性；@#@

（2）异质界面应该平坦，粗糙度低，组分变化陡峭。

@#@这就要求生长时源的变化要快，且在保证晶体质量的条件下，生长温度尽可能的低，以防止层间组分的互扩散；@#@（3）晶格完整性要好，失配度小，失配位错少，表面形貌要好；@#@（4）各层化合物组分控制要精确，特别是多元化合物的组分还应均匀；@#@（5）如果需要掺杂，掺杂量及其均匀分布也应精确控制。

@#@从上述的要求来看，目前可用来制备超晶格的方法主要是MBE、MOVPE、CBE和ALE等。

@#@,MOVPE法生长GalnAsInP组分超晶格GaInAslnP超晶格可用常压、低压MOVPE两种方法生长，但生长时为了获得陡峭的异质结界面，要求生长室内保持气流为无涡流的层状，输入的反应物要精确地控制流量和快速变换，绝大多数使用带有压力平衡，无死区的排空一生长开关的系统。

@#@采用低压系统有利于消除反应室内的热对流，降低生长温度，提高气流速度，实现快速切换和减少寄生反应等。

@#@因此，生长超晶格、量子阱结构多使用LP-MOVPE系统。

@#@此外，为了保持切换时源流量的平稳，还采用多管路系统，即采用二条管路输运同一种源进入生长室。

@#@生长GalnAsInP超晶格通常使用TMG、TEG、TMIn、TEIn为III族源，PH3和AsH3为V族源，TMIn为固体，使用时重现性较差，但可以采用一些方法（如使用两个源瓶等）加以改进，TEIn虽然是液体，但它极易与PH3发生寄生反应，且分解温度低不易控制CaInAs的组分均匀性，因此使用得比较少,多数使用TMG和TMIn或TEG与TMIn为III族源。

@#@,由于Ga1-xInAs与衬底InP在x=0.53时两者晶格匹配，偏离这一点都将产生失配，偏离越大，失配越大。

@#@x0.53时产生压缩应变，x0.53时产生伸张应变。

@#@为了生长无失配的GalnAsInP界面，必须严格控制x=053，其办法是调制TMG/TMIn，即III/III，当然V也应该控制好。

@#@生长速率是由反应物输入总量决定，一般生长InP和GaInAs分别控制在0.10.3nms和0.20.5nms为宜。

@#@在生长超晶格前要先试生长InPInP和Ga0.47In0.53AslnP，掌握了这两种材料的生长条件后，再利用这些条件去生长超晶格中的InP和GaInAs层。

@#@在生长Ga0.47In0.53As时，先固定TMIn流量，改变TMG流量进行生长，用X射线双晶衍射线来测量外延层中的Ga含量，直到合适为止。

@#@一般生长温度选在630左右，反应室压力为104Pa。

@#@,生长GaInAsInP超晶格的程序,

（1）装入衬底后系统抽真空，通H2并恒压在1104Pa，

（2）升温至300，通PH3保护InP衬底不分解。

@#@（3）继续升温至650，在继续通PH3的条件下，处理InP衬底约10min。

@#@（4）降温至625630，通TMIn并调整PH3流量，在InP衬底上生长一层InP缓冲层。

@#@（5）按预先试验获得条件交替生长GalnAs层和InP层，在两层交换生长时，可以采用中断生长工艺，直到生长到预计的阱层、垒层数为止。

@#@（6）最后一般生长一层约02m的InP盖层。

@#@（7）在继续通PH3的条件降温至300，停止通PH3，直到降至室温，停止通H2，通高纯N2并调整反应室气压为常压，开炉取片。

@#@,GalnAsInP量子阱结构的组分、层厚及界面的控制,生长超晶格的关键在于严格控制阱和垒层的厚度、组分及界面的陡度，下面介绍在生长工艺上所采取的措施。

@#@

（1）中断生长，从上面叙述的生长GalnAsInP超晶格程序可知，阱层GaInAs两侧都终止于As原子面，在实际生长中，很难从生长InP的气氛突变到生长GaInAs组分，反之也是如此，结果造成界面的GalnAs层中有P，在InP中有As，用通常连续生长的GaInAsInP超晶格结构，用TEM可以观察到界面处的过渡区，尤其是由GalnAs到InP的界面的过渡区较大，PL谱（光荧光谱）谱线峰的半高度较宽，且峰值能量移动比预期的大。

@#@为了改善这种情况，采用了中断生长的方法。

@#@中断生长指的是，在生长异质界面时，切断族源，停止一段生长时间后，再输入族源开始后续外延层生长。

@#@在中断生长时，既可以不通V族源（只通H2），也可以根据需要分别通入不同的V族源。

@#@人们进行过很多实验研究工作，结论是，为了生长界面质量较好的超晶格结构，选择合适的短时间的中断方式是必要的。

@#@,

（2）组分的控制。

@#@由于阱层很薄，直接进行组分分析比较困难，因此关于超晶格的组分控制的数据主要是从研究一般微米级厚度外延层的数据外推得来的。

@#@如在生长GalnAs时，通常认为固相中GaIn与气相中的pTMGpTMIn相关，即pTMGpTMIn=x（1-x）/c式中比例常数c=13，它是由测量晶格匹配的GalnAsInP材料的X射线衍射图中零级卫星峰和衬底峰之间的角间距求出的。

@#@当然也可以用位置灵敏的原子探针或飞行时间质谱仪等特殊的微区分析仪进行组分分析，然后在工艺上采取措施控制组分。

@#@如调整IIIIll比，可调整x值；@#@加大气流流速，采用低压生长，设计合适的反应室等来改进组分的均匀性等。

@#@,（3）阱层厚度的控制。

@#@在一定生长条件下，外延层的厚度等于生长速率与时间和乘积。

@#@生长速率通常是由微米级外延层生长求得的，实验表明，这个生长速率也适用于极薄层的厚度控制。

@#@尽管有的实验结果显示出在连续生长一系列不同阱层厚度材料时，在生长每个阱的初期，生长速率有一个超过正常体材料生长速率34倍的速率极大值，然后才能稳定到正常值。

@#@但目前人们在实际生长中仍然采用在固定生长条件下，严格控制生长时间的方法，来控制厚度。

@#@（4）超晶格结构的界面应该是平直光滑的，界面平直光滑与否和生长时晶体成核机制、衬底质量及生长中断方式有关。

@#@衬底应高度平整、光洁，生长时应控制在层状生长，防止岛状生长并且采用合适中断生长工艺，以防止界面处组分的互掺等。

@#@界面的特性可利用PL谱和X射线双晶衍射技术来研究。

@#@,掺杂超晶格,掺杂超晶格是在同一种材料中，用交替改变掺杂类型的方法获得的一种新的周期性结构半导体材料。

@#@在N型掺杂层，施主原子提供电子，在P型掺杂层中，受主原子束缚电子，这样电子电荷的分布结果形成一系列抛物线形势阱。

@#@掺杂超晶格的势能来源于在层序列方向上周期性改变的电离杂质的正负空间电荷。

@#@这与组分超晶格不同，在掺杂超晶格中，电离杂质的空间电荷场在层的序列方向上变化，产生周期性能带平行调制，这种调制使得电子和空穴在空间中分离，适当选择掺杂浓度和层厚，则可以实现电子和空穴的完全分离。

@#@因此这种调制使材料具有特殊的电学和光学特性。

@#@,掺杂超晶格的一个优点是，任何一种双极性半导体材料，只要能很好地控制掺杂类型，都可以作为基体材料，制做这种超晶格。

@#@目前研究最多的是用MBE制备Si、GaAs掺杂超晶格。

@#@另一个特点是，多层结构晶体完整性非常好。

@#@由于掺杂量一般较少（通常为10171019cm-3），所以杂质引起的晶格畸变也较小，它没有组分超晶格的明显的异质界面。

@#@掺杂超晶格的有效能隙通过掺杂浓度和各层厚度的选择，可以在零到基体材料能隙间调制。

@#@目前这种超晶格处在进一步研究之中，还没有做出实用化的器件。

@#@,多维超晶格,一维超晶格与体材料比较具有很多不同的性质，不论是在物理学上，还是在应用方面都有很多令人感兴趣的特性。

@#@这些特性来源于它把电子和空穴限制在二维平面内产生的量子力学效应，进一步发展这种思想，把载流子限制在低维空间中，可以出现更多新的光电特性。

@#@利用光刻、腐蚀及超薄层生长技术等相结合可以生长多维超晶格。

@#@,自组装量子点,量子点：

@#@三维限制的结构称为量子点（箱）一维限制的量子阱激光器大幅度提高了激光器特性的结果，促使人们开展更低维结构的研究。

@#@量子点的研制就是在这种情况下进行的。

@#@三维限制的量子点的态密度变成一根根直线，导致激光器的光增益增大，增益谱宽变窄，阈值电流降低，特征温度增高等。

@#@量子点的制备是量子点激光器研制中的一个重要课题。

@#@最初制备量子点的技术是以微细加工为基础，其工序过程为：

@#@在衬底上外延生长量子阱材料，经电子束曝光和干法或湿法刻蚀，再二次外延形成量子点。

@#@这种方法不仅需要价格昂贵的电子束曝光设备，而且需要进行二次外延；@#@不仅增加了制备的难度，而且重要的是在制备过程中会引人大量缺陷和沾污，严重影响所制备的量子点的性能。

@#@近年来依据SK生长模式，利用应变效应形成的自组装量子点的技术引起人们的关注。

@#@,目前对于异质材料外延生长机制一般认为有三种模式。

@#@

（1）MvdM生长模式。

@#@这种模式认为，外延材料是以二维方式一层一层生长的，如图820（a）所示。

@#@这种生长模式主要发生在晶格匹配或晶格失配较小的异质结构生长时，如GaAIAsGaAs的生长就是以这种模式进行的。

@#@

（2）V-W）生长模式。

@#@这种模式为三维生长模式。

@#@外延生长初期是以岛状结构进行生长。

@#@随着外延生长的进行，岛状结构逐渐长大、合并，直到完全覆盖衬底表面，如图820（b）所示。

@#@在外延层与衬底间晶格失配非常大的时候将以这种模式进行生长，如InAsGaP的生长。

@#@（3）SK生长模式。

@#@这个生长模式其外延生长过程介于前两种生长模式之间，即在外延生长初期，以二维模式一层一层生长，但当外延层生长到某一临界值时，外延过程在失配应力作用下，自发地转变成三维生长，如图820（c）所示，在GaAs，InP衬底上外延生长InAs时就是这种情况。

@#@,目前，依据SK模式已生长了多种自组装量子点。

@#@特别InAsGaAs量子点研究的更深入，它是在GaAs衬底上用MBE外延生长InAs，当生长厚度达到临界值时，按照SK模式，在应力作用下，InAs自发的由层状生长变成三维的岛状生长，如果接着再生长限制层，就形成了lnAs自组装量子点。

@#@用InAsGaAs量子点已作出性能良好的激光器。

@#@自组装量子点的生长还有一些问题待解决：

@#@由于岛状成核是随机的，因此量子点分布是无序的；@#@量子点的大小不一致；@#@量子点的密度低。

@#@为了提高自组装量子点激光器的特性，制备出高密度、尺寸均匀、分布有序的自组装量子点还是一个值得深人研究的课题。

@#@,量子点的应用,理论上预言,由于量子点在三维方向上受到限制,因此量子点器件将比量子阱器件有更大的优越性，但是目前由于制备工艺的限制,量子点尺寸的均匀性仍是量子点器件应用的一个瓶颈.量子点红外探测器量子点光存储器件单量子点光电二极管量子点激光器,应变超晶格,超晶格研究的初期，除了GaAsAIGaAs体系超晶格以外，对其他体系的超晶格的研究工作开展得很少，这是因为晶格常数相差大雇异质界面处产生失配位错而得不到高质量的超晶格所致。

@#@但是对应变效应研究表盯，当异质结构中，每层厚度足够薄，且晶格失配度不大于79时，则界面上的应力可以把两侧晶格连在一起而不产生界面失配位错，此时晶格完全处在弹性应变状态。

@#@巧妙地利用这种应变特性，开展了制备晶格失配度较大材料体系的超晶格应变超晶格的研究。

@#@,由于应变超晶格中原组成材料晶格常数不同，在异质晶体生长时受应变的影响，所以应变超晶格中的晶格常数与原组成材料是不一样的，如图821所示。

@#@,在生长超晶格时形成与两种原材料界面垂直和平行的新晶格常数，其中对晶体特性起重要作用的是与界面平行的晶格常数，其值可由下式求得。

@#@,式中，ai，Gi，hi分别为原材料的晶格常数、刚性系数、薄层厚度；@#@f为晶格失配度，由f值的正、负可知应变超晶格属于压缩应变和伸张应变超晶格。

@#@例如，对InxGa1-xAsInP来说，这两种材料间有一个晶格匹配点，x=0.53。

@#@当z0.53时f0产生压缩应变；@#@x0.53时f0为伸张应变，所以，利用InxGa1-xAsInP体系，可以生长伸张应变、压缩应变和补偿应变超晶格。

@#@,能带工程”,超晶格量子阱结构的主要特征是，载流子（电子或空穴）的运动在生长方向上受到限制。

@#@因此，量子阱的光电性质不同于体材料而呈现出许多新特点。

@#@利用不同材料，可以使带隙发生变化（比如变大、变小，甚至为零），有效质量的各向异性也可以差几个量级，子能带的带隙也可以随意调节，这就孕育着一系列新器件的产生由于人工材料的特点可以人为控制，设计新型半导体超晶格结构又称为“人工能带工程”。

@#@,能带工程,半导体光电子器件的发展和性能的提高与半导体材料的几何空间和能量空间（K空间）的设计和制备是分不开的，通常把这种设计称为“能带工程”。

@#@其基本内容大体上可分为带隙工程、带结构工程和带偏移工程。

@#@,带隙工程,带隙工程亦称为量子尺寸工程或能带裁剪工程，指将不同带隙材料在量子尺寸内人工进行异质、匹配，有序生长成新结构材";i:

1;s:

11602:

"普法进社区服务到身边,榆林市城市管理综合行政执法局榆阳分局一大队,强基础转作风树形象,主要职能

（一）贯彻执行国家、省、市有关城市管理综合行政执法方面的法律、法规、规章和政策，组织起草相关制度和规定，按规定程序颁布组织实施。

@#@

（二）负责市容环境卫生管理方面法律、法规、规章规定的行政执法工作（包括行政处罚、监督检查和依法执行，不包括限制人身自由、降低资质等级、吊销证牌照，下同）；@#@负责对市容环境卫生责任区管理工作进行监督检查和对不符合城市容貌标准、环境卫生标准建筑物或设施的强拆除工作。

@#@（三）负责工商行政管理方面法律、法规、规章规定的对无照商贩（门店和市场除外）、出店经营、占道经营、马路市场等行为的行政执法工作。

@#@,（四）负责对城市违章建筑查处（主要是无审批手续建筑、少批多建、批低建高）的行政执法工作。

@#@（五）负责对未取得建筑工程施工许可证或者开工报告未经批准擅自施工的，责令改正，对不符合开工条件的责令停止施工，可以处以罚款的行政执法工作。

@#@（六）负责临时占用城市道路审批和管理；@#@负责城市车辆占道停放点设置（包括临时停放点）设置的规划、建设、管理；@#@负责市政公用设施管理方面法律、法规、规章规定的行政执法工作。

@#@（七）负责城市绿化管理方面法律、法规、规章规定的行政执法工作。

@#@（八）负责大型户外广告及门头牌匾设置审批；@#@负责对不按审批设置的户外广告宣传等行为的行政执法工作。

@#@,强基础转作风树形象,（九）负责环境保护方面的法律、法规、规章规定的对在市区内向大气排放有毒有害气体及对制造影响周边工作和居民生活噪声污染以及违规运输、销售、存储、使用有烟煤等行为的行政执法工作。

@#@（十）负责数字化城市管理信息系统建设工作；@#@牵头负责城市精细化管理工作。

@#@（十一）负责组织市城市管理综合行政执法专项活动和重大活动。

@#@（十二）负责处理城市管理综合行政执法中的投诉、应诉工作，负责城市管理综合行政执法队伍的建设工作。

@#@（十三）负责城市管理和执法方面的宣传教育工作，协调动员社会力量参与城市管理的相关活动。

@#@（十四）负责本行业领域内的安全生产工作的监督检查。

@#@,强基础转作风树形象,（十五）承办市委、市政府交办的停车场建设、渣土运输等其他工作，承办市城市管理委员会的日常工作。

@#@,强基础转作风树形象,下面我将重点通过对城市市容管理和城市规划监察两个方面进行介绍，向大家展示我们执法局在日常执法工作中的办案流程和执法理念。

@#@,强基础转作风树形象,城市市容管理市容的定义：

@#@城市的面貌，指街道房屋建筑商店陈列等。

@#@,违反市容管理的情节主要有,占道经营,乱堆搭,占用城市道路,违规设置门头牌匾户外广告,野广告,车辆乱停乱放,适用法律：

@#@无照经营查处取缔办法陕西省城市市容环境卫生条例陕西省城市公共空间管理条例陕西省食品小作坊小餐饮及摊贩管理条例中华人民共和国道路交通安全法等,强基础转作风树形象,案例一：

@#@余某因转行经营，未经有关部门审批在市区某主要街道边一公众场所搭起几个太阳棚，将所经营的剩余商品进行削价销售。

@#@案例二：

@#@彭某从外地运来一车西瓜，为了销售方便，而将车停在某学校外街道十字路口边进行零售。

@#@案例三：

@#@某铝合金加工店将店内的铝合金半制品叠放在店外的人行道上，路人行走不便。

@#@案例四：

@#@承租某临街店辅的甲某因对商辅进行装修，而将一车水泥卸堆在街道人行道上，路人只得绕道行走。

@#@,强基础转作风树形象,店外店,占道经营,乱堆搭,占用城市道路,强基础转作风树形象,城市规划监察适用的法律主要有中华人民共和国城乡规划法（2008年1月1日起施行）,第九条任何单位和个人都应当遵守经依法批准并公布的城乡规划，服从规划管理，并有权就涉及其利害关系的建设活动是否符合规划的要求向城乡规划主管部门查询。

@#@任何单位和个人都有权向城乡规划主管部门或者其他有关部门举报或者控告违反城乡规划的行为。

@#@城乡规划主管部门或者其他有关部门对举报或者控告，应当及时受理并组织核查、处理。

@#@,第三十三条城市地下空间的开发和利用，应当与经济和技术发展水平相适应，遵循统筹安排、综合开发、合理利用的原则，充分考虑防灾减灾、人民防空和通信等需要，并符合城市规划，履行规划审批手续。

@#@,强基础转作风树形象,第三十六条按照国家规定需要有关部门批准或者核准的建设项目，以划拨方式提供国有土地使用权的，建设单位在报送有关部门批准或者核准前，应当向城乡规划主管部门申请核发选址意见书。

@#@,第四十条在城市、镇规划区内进行建筑物、构筑物、道路、管线和其他工程建设的，建设单位或者个人应当向城市、县人民政府城乡规划主管部门或者省、自治区、直辖市人民政府确定的镇人民政府申请办理建设工程规划许可证。

@#@,强基础转作风树形象,申请办理建设工程规划许可证，应当提交使用土地的有关证明文件、建设工程设计方案等材料。

@#@需要建设单位编制修建性详细规划的建设项目，还应当提交修建性详细规划。

@#@对符合控制性详细规划和规划条件的，由城市、县人民政府城乡规划主管部门或者省、自治区、直辖市人民政府确定的镇人民政府核发建设工程规划许可证。

@#@城市、县人民政府城乡规划主管部门或者省、自治区、直辖市人民政府确定的镇人民政府应当依法将经审定的修建性详细规划、建设工程设计方案的总平面图予以公布。

@#@,第四十三条建设单位应当按照规划条件进行建设；@#@确需变更的，必须向城市、县人民政府城乡规划主管部门提出申请。

@#@变更内容不符合控制性详细规划的，城乡规划主管部门不得批准。

@#@城市、县人民政府城乡规划主管部门应当及时将依法变更后的规划条件通报同级土地主管部门并公示。

@#@并报有关人民政府部门备案。

@#@,强基础转作风树形象,第四十四条在城市、镇规划区内进行临时建设的，应当经城市、县人民政府城乡规划主管部门批准。

@#@临时建设影响近期建设规划或者控制性详细规划的实施以及交通、市容、安全等的，不得批准。

@#@临时建设应当在批准的使用期限内自行拆除。

@#@临时建设和临时用地规划管理的具体办法，由省、自治区、直辖市人民政府制定。

@#@,第五十三条县级以上人民政府城乡规划主管部门对城乡规划的实施情况进行监督检查，有权采取以下措施：

@#@

（一）要求有关单位和人员提供与监督事项有关的文件、资料，并进行复制；@#@

（二）要求有关单位和人员就监督事项涉及的问题作出解释和说明，并根据需要进入现场进行勘测；@#@（三）责令有关单位和人员停止违反有关城乡规划的法律、法规的行为。

@#@城乡规划主管部门的工作人员履行前款规定的监督检查职责，应当出示执法证件。

@#@被监督检查的单位和人员应当予以配合，不得妨碍和阻挠依法进行的监督检查活动。

@#@,强基础转作风树形象,第六十四条未取得建设工程规划许可证或者未按照建设工程规划许可证的规定进行建设的，由县级以上地方人民政府城乡规划主管部门责令停止建设；@#@尚可采取改正措施消除对规划实施的影响的，限期改正，处建设工程造价百分之五以上百分之十以下的罚款；@#@无法采取改正措施消除影响的，限期拆除，不能拆除的，没收实物或者违法收入，可以并处建设工程造价百分之十以下的罚款。

@#@,强基础转作风树形象,第六十六条建设单位或者个人有下列行为之一的，由所在地城市、县人民政府城乡规划主管部门责令限期拆除，可以并处临时建设工程造价一倍以下的罚款：

@#@

（一）未经批准进行临时建设的；@#@

（二）未按照批准内容进行临时建设的；@#@（三）临时建筑物、构筑物超过批准期限不拆除的。

@#@,第六十八条城乡规划主管部门作出责令停止建设或者限期拆除的决定后，当事人不停止建设或者逾期不拆除的，建设工程所在地县级以上地方人民政府可以责成有关部门采取查封施工现场、强制拆除等措施。

@#@,强基础转作风树形象,大型工地监管,查处违章修建小房,案件一般程序,强基础转作风树形象,发现调查阶段,发现违法行为,立案,执法人员调查，收集证据,调查终结,审核审批阶段,法制指导科审核,分管副局长审核,局长审核,案件执行阶段,结案归档,告知,行政处罚,送达,书写结案报告整理装订卷宗，归档,强基础转作风树形象,简易程序：

@#@违法事实确凿并有法定依据，对公民处以五十元以下、对法人或者其他组织处以一千元以下罚款或者警告的行政处罚的，可以当场作出行政处罚决定。

@#@（中华人民共和国行政处罚法第三十三条）,备案,归档,案件来源,调查取证,告知,填写当场处罚决定书,当场送达,执行,简易程序处理案件流程,强基础转作风树形象,我们的日常执法是行使法律赋予城市管理方面的行政执法职权，是受人民所托，去完成广大人民在城市管理方面的意愿。

@#@,我们行政执法的目的是努力提高全社会公民的综合素质，在平时的生活工作中依法高效开展有益于社会、单位、家庭和个人的活动，从而避免各类行政违法、违章的情况出现。

@#@共同营造良好的城市环境和市容，为广大群众提供一个安居乐业、殷实富康的生活氛围，为社会经济发展营造一个良好的社会环境。

@#@,强基础转作风树形象,执法理念,依法行政,文明执法,知识强军,遵循规律,主动合作,诚信执法,科技强军,铭刻法纪,阳光正气,执法为民,强基础转作风树形象,城市是我们共同的家，城市管理体现一个城市的文明水平、精神风貌、管理能力。

@#@作为城市居民，我们都希望生活在一个干净、卫生、文明、整洁有序的城市。

@#@然而城市管理人人有责，只有全体市民一起参与，一起努力，一起行动，一起负责，我们的城市管理才能真正上水平上等级上台阶。

@#@,市民朋友们如果您看到各类城市违法行为，请及时打电话告诉我们。

@#@我们会对其违法行为依法进行查处。

@#@同时也希望你们对城市管理工作进行监督。

@#@我们的举报电话是：

@#@0912-35211330912-3286006,";i:

2;s:

14667:

"风光摄影,风光摄影,风光摄影的概念,风光主要指风景、景象。

@#@风光，就是大自然中所有的风貌景观。

@#@风光摄影，其实就是风景摄影。

@#@风光摄影是以自然景观和人文景观为拍摄对象的摄影门类。

@#@,风光摄影的分类,依据人类参与程度可分为自然景观和人文景观依据居住环境可以分为城镇风光乡村风光自然风光,自然风光,佳能A-1相机FD28-85mm+PL镜头机内测光-IEV曝光,作品分析,侧光可以凸现景物的立体感，使景物真实可信。

@#@构图的均衡对称也给画面增添了宁静的氛围，让人犹如身临其境。

@#@关键是使用了偏光镜，使画面色彩饱和，色调和谐，有一种意境美。

@#@,光圈F13曝光时间2s焦距70mm感光度50,人文景观,作品分析,这幅摄影首先从构图上来说，天空占据着画面约三分之二的面积，海边的高楼、灯光和海面占据着画面约三分之一的面积，海面所呈现出的C字形曲线构图活跃了整幅画面，选择70mm的焦距拍摄，压缩了要表现的空间，使画面更紧凑和更具节奏感，充分地表现了海岸夜景由近及远的关系和不同物体由大到小的对比。

@#@其次从曝光上讲，选择小光圈F13、2秒的快门速度以及ISO为50，不仅能够得到星状灯光效果，为夜景增添魅力，更重要的是，把天空五彩斑斓的颜色真实的反映出来了。

@#@再者在情感的表现上，虽然天空给人一种扑朔迷离之感，但是作品给人一种城市夜晚的唯美、和谐。

@#@这种情感的表现，更重要的是通过海边悠然自得的人群所引发的。

@#@,巧用地平线,在风光构图时，我们常常会遇到如何安排地平线在画面中位置的问题。

@#@确实，地平线位置安排得合理与否，对于突出主体、加强视觉冲击力以及平衡画面的构图，都有直接的关系。

@#@,地平线安排在什么位置呢？

@#@,首先，从表现内容确定地平线的位置。

@#@尽管地平线是客观存在的，在构图时却完全可以将它看成是划分天地的界线，拍摄时，地平线位置是高还是低，得视所表现的内容而定。

@#@如果表现的主要内容是天空（如旭日、彩霞），那可将地平线位置降低，使画面中地面的成分减少，天空的范围扩大；@#@相反，如果画面的趣味中心在下方，那就应该让地平线的位置升高，以充分展示地面的情景。

@#@,光圈F9曝光时间1/200s焦距70mm感光度200,这幅作品要表现的重点是出现了奇异现象的天空。

@#@厚重的云层破开了一个洞，抽象地实现了椭圆形构图，光线融入在洞口四周，有一种把云层拨开散尽的趋势。

@#@此时把地平线安排在画面较低的位置，较暗的地面与天空上方的暗部相呼应，共同衬托出天洞的奇特感。

@#@,其次，从视觉舒适感确定地平线的位置。

@#@人们在长期生活中逐渐形成了一种欣赏习惯，即当画面中天空占1/3、地面占2/3时，感觉最为悦目。

@#@因此，在所要摄取的景色中，若是没有特别要强调的地方，建议在构图时着重安排这种画面比例，以令人感到惬意和愉快的视觉效果，使画面显得轻松、舒适。

@#@,光圈F10曝光时间1/200s焦距20mm感光度160,这幅作品采用横向三分法来表现傍晚时分海边惬意的场景。

@#@作为主体的栈桥从画面右下角以对角线形式和纵向延伸方式至画面左上角，符合人的视觉习惯。

@#@,风景摄影实拍技法,解摄影构图和用光等一些基本的常识和理论是必须的。

@#@但是要真正学好风景摄影就需要在实际的拍摄场景中去练习。

@#@而在实拍过程中，根据所处的环境去掌握一定的拍摄技法对于初学者来说，是非常重要的。

@#@这往往起到事半功倍的效果。

@#@关键字：

@#@风景风光实拍技法,作品解析,对准太阳以上的上空进行测光，能够得到光线较均衡的画面效果光圈F9曝光时间1/320s焦距600mm感光度100焦距300mm感光度100,拍摄时，相机镜头要直接对着太阳，由于太阳的亮度与周围的光线相差很大，这样很容易导致画面上只有太阳，而其余部分曝光不足。

@#@要解决这个问题，一种方法是先让太阳处于取景器内的三个不同的位置上，然后取这三个曝光读数的平均值。

@#@另一种方法是直接采用拍摄太阳以外的上空的曝光值或者利用相机的包围曝光功能来获取合适的曝光值。

@#@拍摄日出和日落，使用不同的曝光会产生不同的拍摄效果，所以，摄影者可以根据自己的拍摄意图来选择合适的曝光值,作品解析,作品解析,太阳透过云的缝隙，以放射线形式散射到海面上，给人一种神秘的感觉光圈F4曝光时间1/1300s焦距6mm感光度100,大场景可以说是太阳摄影的魅力所在。

@#@拍摄日出和日落最佳季节是在春、秋两个季节。

@#@这两个季节云层较多，可以增加拍摄的视觉效果。

@#@云是自然的反光物体，它能散播太阳的红光，并且随着时间的推移而不断变化。

@#@当然，云彩也可以作为单独的拍摄题材。

@#@在拍摄时，摄影者要灵活利用云层和雾气，因为太阳本身是明亮的，如果通过云层和雾气遮挡其光芒，就能表现出它圆圆的形状。

@#@特别是在拍摄早晨和傍晚的太阳时，采用这种方法不仅可以强调太阳的轮廓，更能展现它火红的色彩。

@#@,作品解析,利用慢速快门记录下云霞移动的轨迹光圈F5.6曝光时间25s焦距16mm,作品解析,作品解析,随着日出或者日落景象，形成的一种辉煌壮观的自然景观。

@#@不管是朝霞还是晚霞，它们都是由于早和晚的日光色温偏低，从而使天空中不同形状的云朵呈现为红橙色。

@#@霞出现的时间相对较短，一般只有20分钟至30分钟，因此需要摄影者拍摄时抓紧时机。

@#@云霞形状变换不断，十分动人，有时稍纵即逝，容易留下遗憾。

@#@此外，云霞的拍摄一般是处于逆光条件下，因而地面景物显得较暗，反差较大，所以需要选择一定的物体作为前景，并将其处理为剪影，这样得到的影像更具魅力。

@#@,作品剖析,清晨，江中渔夫撒网的瞬间，给人一种悠闲惬意之感光圈F5.6曝光时间1/400s焦距28mm,风景，最重要的是通过镜头的描写来激发观众的思绪和联想。

@#@江南山水以疏淡秀逸见长，为展现烟笼雾罩、清秀空灵的美景，摄影者可以利用空白的概念，以简洁的构图来突出主景，其余景物通过渐变的方式，以朦胧的远树淡水、雾雨烟岚的形式表现出来。

@#@此外，摄影者也可以在构图过程中使景物集中于一侧，通过以虚代实的手法把观众的注意力引向虚旷的空间，从而给人幽思遐想的余地。

@#@,作品解析,黄金分割,当你拍摄照片的时候，想体现的重点应该放到图片的哪里才好呢？

@#@初学者一般都把最吸引人的景物放在正中间，这样观点是错误的。

@#@一张好的风光照片不仅要体现重点，还能把读者引导照片的其他元素中去，例如拍摄大海和天空，我们一般都遵循“黄金分割法”。

@#@也就是让地平线位于画面中的1/3或者2/3处，而不是1/2处。

@#@这样构图会更加美观。

@#@天空若没有奇异的云彩，没有美妙的光线，则要尽量减少天空所占的比例。

@#@有时甚至可以忽略掉天空的部分。

@#@,黄金分割天空占2/3,前景、中景和远景的运用,前景：

@#@表现画面上的透视感、立体感、纵深感等，前景非常重要，是风光照片的成败所在。

@#@中景：

@#@通常一张风光照片的主体都是放在前景与中景之间，所以中景的处理也非常重要。

@#@运用前景和远景为中景服务，达到表达主题思想的目的，主体位置不能过于正中，应放在中间的左或右侧，这样较为活泼。

@#@,前景、中景和远景的运用,远景：

@#@将风光的景物扩展，以烘托意境，加强画面的美，增加人们的想象力和感染力，远景的色调以浅色调的为主。

@#@从整幅风光照片来看，未必前景、中景和远景都有，有些只有近景和远景，有些只有中景和远景，那就看具体情况了。

@#@,宾得照相机，35毫米镜头，1/125秒f/16，,宾得照相机，28毫米镜头，1/125秒f/16，,景物中动态的掌握,风光中往往有人物或其它动态物在其中活动。

@#@风光中的动态物能充实景物的内容，也可为景物增加生动感和透视的比例感。

@#@人物在画面中可作为主体，也可作为陪体，或作为点缀，应当决定于照片的主题。

@#@例如拍摄西湖风光，主题是游西湖，就应当决定以游湖的人物为主体。

@#@如果主题是要表现西湖景色，毫无疑问，就应以景色为主体，画面中的人物作为陪体衬托景色。

@#@,景物中动态的掌握,人物及其他动态物都有他们的动作规律，有些动态物也有它的特点，掌握这些特点，不要把在步行的人拍成一条腿，甚至人物呆呆地看着镜头；@#@也不应把景物中四足俱全的牛、马、骡等拍成二、三只脚，或者没有尾巴等。

@#@,光线在景物上的效果,1、正面光对景物的效果用正面光拍摄景物，可使景物清朗而具有光亮、鲜明的气氛。

@#@但正面光照射在景物上过于平正，缺乏明暗之分，缺乏景物的立体效果。

@#@一般不喜欢采用这种光线。

@#@2、侧光对景物的效果利用侧光拍摄景物，由于光线斜照景物，景物自然会产生阴影，显现明暗的线条，使景物有立体的感觉。

@#@侧光是几种基本光线中最能表现层次、线条的光线，也是最适宜拍摄风光照片的。

@#@,光线在景物上的效果,3、逆光对景物的效果：

@#@逆光照射景物，景物中被光线照射的部分，都会产生光亮的轮廓，能使物体与物体之间有明显的光的界线，不会使主体与背景互相混合成一片深黑色的色调。

@#@4、高光对景物的效果：

@#@高光是一天中阳光最强烈的时候，光线强烈，阴影必深。

@#@这种光线不是拍摄风光的理想光源，非必要时拍摄的景物，应尽量避免采用。

@#@,逆光,溶洞摄影,5、前景的运用季节性前景地方性前景对比性前景框式前景,溶洞摄影,选用带有内测光的单反照相机，口径越大越好，若能使用带广角的变焦镜头最好。

@#@因洞内光线较暗，三脚架是必备的。

@#@要准备一支手电筒，用来提供照明以便操作。

@#@摄影时要注意避免灯光直射镜头，最好用遮光罩。

@#@溶洞内一般有装饰灯，要拍出洞内绚丽的色彩，最好不用闪光灯，改用慢速拍摄，用三脚架。

@#@灯光较暗时，要用闪光灯，可进行多次曝光。

@#@选用高感光度的。

@#@溶洞内人像摄影应使用闪光灯。

@#@溶洞内一般湿度较大，与洞外有明显温差，相机进洞后会在镜头上蒙上一层水汽。

@#@防止的办法是，进洞之前不要打开镜头盖，先用塑料袋将像机封好，或装在包内，进洞30分钟后再拿出来使用。

@#@,感光度800，光圈5.6，速度18s，,感光度800，光圈5.6，速度18s,水中倒影,1.需要一个反光体；@#@2.天气对倒影的表现影响明显，阴天或逆光下倒影明显；@#@3.位置的选择要正；@#@4.由于睡眠的反光，正常的曝光组合可能会使照片曝光不足，因加一档曝光或加一档曝光补偿。

@#@,湖泊的拍摄,1.宁静的水面，给人宽阔之感；@#@2.有风或向水中仍一物体，拍波纹；@#@3.合理的色彩搭配，注意冷暖色调；@#@4.注意避免画面的空旷。

@#@,技巧总结：

@#@,目前风光摄影其实只要记住三点就可以：

@#@时间、地点、构图。

@#@时间包括光的运用、意境的发觉等；@#@地点则体现了照片的主题所在；@#@而构图包括的比较多，前景、引导线、参照物、画面的纵深感和画面的比例等等。

@#@你会想：

@#@去欣赏风景拍张照片要顾及到这么多方面，多累呀！

@#@其实我们只是把它作为一个大众化的标准来说的，这只是风光摄影的一个基础而已。

@#@当影友们水平上来之后，完全可以打破规则，尽情地发挥自己的想象力。

@#@毕竟规则本身也是人来制定的。

@#@,拍摄数据:

@#@柯达E100VS反转片佳能EOS-1相机EF100-400mm镜头机内测光-2EV曝光,作品分析,在彩色摄影中，控制好曝光量是很关键的，尤其是在半明半暗的光照条件下，曝光过度，暗部喧宾夺主，而亮部则会失去层次；@#@而曝光不足，亮部表现尚可，而暗部则会失去层次。

@#@因此控制好曝光量，使亮部和暗部都有一定的层次表现，则是最理想的。

@#@有时为了突出亮部主体，而有意使主体周围景物严重曝光不足，则另当别论。

@#@这要在创作中不断丰富经验，在没有把握的情况下，使用包围式曝光也是权宜之计。

@#@,拍摄数据:

@#@柯达E100VS反转片佳能EOS-1相机EF100-400mm镜头机内测光-1/3EV曝光,作品分析,构图时遇到地平线怎么办？

@#@是将地平线放在画面上部、中部，还是下部？

@#@这是摄影者常会碰到的问题。

@#@一般来说，地平线居中效果不好，会使画面呆板。

@#@那么将地平线摆在上部或下部多少高或多少低为好，则没有定论，应根据具体情况选择。

@#@在这里，摄影家将地平线放在画面底部，以极低的视角表现大面积的天空，但地平线上的羊群和羊倌仍旧醒目，而且在浅色天空的衬托下，深色的草地、羊群和羊倌显得更加突出，这就是作品的成功之处。

@#@,坝上风光,拍摄数据:

@#@柯达E100VS反转片佳能A-1相机FD70-210mm镜头机内测光0EV曝光,作品分析,雾也是常见的自然景观，但要拍摄好并不容易。

@#@拍摄雾一定要有景物相衬，最好有前景，中景和远景，这样可以将雾通过景物的透视效果，将纵深感表现出来，也使雾有远近浓淡的对比。

@#@在这里，摄影家在设置近、中、远景的同时，还特意采用逆光照射，将雾的朦胧感表现出来，丰富了艺术感染力。

@#@,香格里拉风光,香格里拉风光,香格里拉风光,Theend,Thankyou,";i:

3;s:

4308:

"光荣的少先队少先队入队知识培训,我们的队名：

@#@,中国少年先锋队,（简称：

@#@少先队）,1949年10月13日是建队日。

@#@,我们的队旗：

@#@,五角星代表中国共产党的领导，火炬象征光明，红旗象征革命胜利。

@#@,大队旗,我们的中队旗,我们的小队旗,我们的标志：

@#@,红领巾代表红旗的一角，是用烈士的鲜血染成的。

@#@我们应该爱护她！

@#@为她增光！

@#@,红领巾,少先队基础知识,1将红领巾披在肩上，钝角对脊椎骨，右角放在左角下面，两角交叉。

@#@2将右角经过左角前面拉到右边，左角不动。

@#@3右角经左右两角交叉的空隙中拉出，右角恰绕过左角一圈。

@#@4将右角从此圈中拉出，抽紧。

@#@,我们队的作风：

@#@,诚实,勇敢,活泼,团结,干部标志,少先队基础知识,大队长及大队委员会委员标志、中队长及中队委员会委员标志、小队长标志,组织标志我们的队徽,五角星火炬写有“中国少先队”的红色绶带,少先队基础知识,五指并拢，手经胸前，一次到位，高额一拳，手与小臂成直线，手心向着左下前，拇指不要留缝隙，胳膊不要挡着脸，敬礼至少敬两秒，“含义”至少想一遍，距离师长五至七步，注目问好或说“再见”含义：

@#@右手五指并拢，高举头上。

@#@它表示人民的利益高于一切。

@#@,我们的队礼：

@#@,右手五指并拢，高举头上。

@#@它代表：

@#@人民的利益高于一切,敬礼与还礼,少先队基础知识,备注：

@#@师长受礼要还礼队长和戴红领巾的辅导员还队礼。

@#@双方敬还礼的次序为：

@#@敬礼，还礼，还礼毕，敬礼毕。

@#@,少先队员行队礼的几种正式场合,少先队基础知识,少先队员在升国旗时，在队旗出场和退场时，在烈士墓前扫墓时都应当敬队礼。

@#@在集会前列队、行进、检阅时，由大、中、小队长敬队礼，队员立正或注目致敬。

@#@在其它场合中遇到师长时，队员也要行队礼。

@#@,少先队基础知识,1978年，电影英雄小八路主题我们是共产主义接班人改为中国少年先锋队队歌。

@#@,我们的队歌：

@#@,中国少年先锋队队歌,我们是共产主义接班人，继承革命先辈的光荣传统，爱祖国，爱人民，鲜艳的红领巾飘扬在前胸，不怕困难，不怕敌人，顽强学习，坚决斗争。

@#@向着胜利勇敢前进，向着胜利勇敢前进前进，向着胜利勇敢前进，我们是共产主义接班人。

@#@我们是共产主义接班人，沿着革命先辈的光荣路程，爱祖国，爱人民，少先队员是我们骄傲的名称。

@#@时刻准备，建立功勋，要把敌人消灭干净。

@#@为着理想勇敢前进，为着理想勇敢前进前进，为着理想勇敢前进，我们是共产主义接班人。

@#@,少先队基础知识,我们的呼号：

@#@,“准备着：

@#@为共产主义事业而奋斗！

@#@”,回答：

@#@“时刻准备着！

@#@”,入队考核程序：

@#@,少先队基础知识,1、上队前教育课，知道少先队的队名、队旗、队徽、红领巾、队礼的含义，队的领导者和队的作风；@#@2、会写入队申请书，会读入队誓词，会戴红领巾，会行队礼，会唱队歌，会呼号；@#@3、做一件好事，并说出自己的体会。

@#@,入队誓词,我是中国少年先锋队队员。

@#@我在队旗下宣誓：

@#@我热爱中国共产党，热爱祖国，热爱人民，好好学习，好好锻炼，准备着：

@#@为共产主义事业贡献力量！

@#@宣誓人：

@#@-,入队申请书,敬爱的少先队组织：

@#@我志愿加入中国少年先锋队。

@#@我是一年级小学生，我知道少先队是中国共产党领导的，红领巾是国旗的一角，是革命先烈的鲜血染成，队礼表示人民的利益高于一切。

@#@入队后，我会更加严格要求自己，努力学习，遵守纪律，尊敬师长，团结同学，热爱劳动，我会努力做到“五爱”：

@#@爱祖国、爱人民、爱科学、爱劳动、爱护公共财物。

@#@做党的好孩子，准备着：

@#@为实现共产主义事业而奋斗。

@#@向五星红旗敬礼！

@#@申请人：

@#@=年月日,光荣的少先队,星星火炬代代相传！

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