半导体器件物理复习重点.docx

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半导体器件物理复习重点

第一章PN结

1.1PN结是怎么形成的？

1.2PN结的能带图（平衡和偏压）*

1.3内建电势差计算

1.4空间电荷区的宽度计算

1.5PN结电容的计算

第二章PN结二极管

2.1理想PN结模型是什么？

2.2少数载流子分布（边界条件和双极输运方程的应用）

2.3理想PN结电流

2.4PN结二极管的等效电路（扩散电阻和扩散电容的概念）？

2.5产生-复合电流的计算

2.6PN结的两种击穿机制有什么不同？

第三章双极晶体管

3.1双极晶体管的工作原理是什么？

3.2双极晶体管有几种工作模式，哪种是放大模式？

3.3双极晶体管的少子分布（图示）

3.4双极晶体管的电流成分（图示），它们是怎样形成的？

3.5低频共基极电流增益的公式总结

3.6等效电路模型（Ebers-Moll模型和Hybrid-Pi模型）（画图和简述）

3.7双极晶体管的截止频率受哪些因素影响？

3.8双极晶体管的击穿有哪两种机制？

第四章MOS场效应晶体管基础

4.1MOS结构怎么使半导体产生从堆积、耗尽到反型的变化？

4.2MOS结构的平衡能带图（表面势、功函数和亲和能）及平衡能带关系

4.3栅压的计算（非平衡能带关系）

4.4平带电压的计算

4.5阈值电压的计算

4.6MOS电容的计算

总的电容公式：

最大电容：

平带电容：

，

最小电容：

，

4.7MOSFET的工作原理是什么？

4.8电流-电压关系（计算）

N沟道：

P沟道：

4.9MOSFET的跨导计算

4.10MOSFET的等效电路（简化等效电路）

4.11MOSFET的截止频率主要取决于什么因素？

第五章光器件

5.1电子-空穴对的产生率：

5.2PN结太阳能电池的电流

5.3光电导计算

5.4光电导增益

5.5光电二极管的光电流

5.6PIN二极管怎么提高光电探测效率？

5.7发光二极管的内量子效率主要取决于哪些因素？

5.8PN结二极管激光器怎样实现粒子数反转（借助于能带图说明）

第六章MOS场效应晶体管：

概念的深入

6.1MOSFET按比例缩小理论（恒定电场缩小），哪些参数缩小，哪些参数增大？

6.2结型场效应晶体管的工作原理是什么？

它有什么特点